发明授权
- 专利标题: 一种存储器件的控制方法
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申请号: CN202410927201.X申请日: 2024-07-11
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公开(公告)号: CN118522324B公开(公告)日: 2024-11-15
- 发明人: 曹开玮
- 申请人: 武汉新芯集成电路股份有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 专利权人: 武汉新芯集成电路股份有限公司
- 当前专利权人: 武汉新芯集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 代理机构: 深圳市威世博知识产权代理事务所
- 代理商 高凌云
- 主分类号: G11C8/08
- IPC分类号: G11C8/08 ; G11C7/12
摘要:
本发明公开了一种存储器件的控制方法,包括:对存储器件中存储块的多行字线中的至少一行字线执行行选择,以选中的字线作为目标字线;以目标字线所对应的选择字线作为辅助选择字线,对辅助选择字线施加辅助电压;对存储块的多列位线中的至少一列位线执行列选择,以选中的位线作为目标位线;基于选中的目标字线和目标位线确定目标存储单元,并执行存储器件操作;即本申请中对在控制栅的一侧形成选择栅的存储器件,通过目标字线的选择,并对目标字线所对应的辅助选择字线施加辅助电压,进而通过对目标位线的选择确定目标存储单元,以对目标存储单元或存储块执行存储器件操作,能有效提升控制栅和选择栅之间的击穿电压,提升存储器件的性能。
公开/授权文献
- CN118522324A 一种存储器件的控制方法 公开/授权日:2024-08-20