发明公开
- 专利标题: 一种在A、B位双施主共掺杂钛酸锶基巨介电陶瓷材料及其制备方法
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申请号: CN202410658220.7申请日: 2024-05-24
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公开(公告)号: CN118530019A公开(公告)日: 2024-08-23
- 发明人: 韩娇 , 何佳麒 , 陈力 , 黄津铭 , 周菊 , 李青霖 , 孙俪维 , 曾一明
- 申请人: 云南贵金属实验室有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市高新技术产业开发区科技路988号
- 专利权人: 云南贵金属实验室有限公司
- 当前专利权人: 云南贵金属实验室有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市高新技术产业开发区科技路988号
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 赵晓琳
- 主分类号: C04B35/47
- IPC分类号: C04B35/47 ; C04B35/622 ; C04B35/64 ; H01G4/12
摘要:
本发明涉及电子功能材料技术领域,提供了一种在A、B位双施主共掺杂钛酸锶基巨介电陶瓷材料及其制备方法。本发明采用Sm在Sr(A)位点,Nb在Ti(B)位点进行双施主共掺杂,同时结合氮气烧结的方式,得到化学式为Sr1‑1.5xSmxTi0.097Nb0.003O3(0<x≤0.018)的SrTiO3基巨介电陶瓷材料,该陶瓷具有巨介电效应,介电常数的温度稳定性良好,满足电子元器件小型化对电介质材料的需求;并且,本发明中掺杂剂Nb2O5和Sm2O3的用量较少,能降低生产成本;同时,本发明提供的制备方法步骤简单,重复性好,成品率高,成本较低,便于商业化生产。
IPC分类: