- 专利标题: 基于自差分电极的微惯性敏感结构及制备方法
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申请号: CN202410969271.1申请日: 2024-07-19
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公开(公告)号: CN118533159B公开(公告)日: 2024-10-01
- 发明人: 任幸晶 , 吴学忠 , 肖定邦 , 侯占强 , 张勇猛 , 李青松 , 孙江坤 , 席翔
- 申请人: 中国人民解放军国防科技大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 代理机构: 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- 代理商 赵小龙
- 主分类号: G01C19/5656
- IPC分类号: G01C19/5656 ; B81B7/02 ; B81C1/00 ; G01C19/5663
摘要:
本发明公开了基于自差分电极的微惯性敏感结构及制备方法,包括锚点,以及与锚点弹性连接的质量块;质量块为两个以上,各质量块之间为弹性连接;质量块之间还连接有差分电极,各质量块之间的弹性连接方式为通过耦合刚度件连接;锚点与质量块之间的弹性连接方式为通过支撑刚度件连接。本发明通过将质量块以弹性连接的方式固定在锚点上,质量块、耦合刚度件与支撑刚度件共同形成可活动的谐振结构,然后将差分电极的两极固定在可活动的谐振结构上,从而使MEMS传感器在外界振动等复杂环境下,实现电极在振动环境下的自差分,有效改善MEMS传感器在实际应用环境下的噪声性能、输出精度及鲁棒性。
公开/授权文献
- CN118533159A 基于自差分电极的微惯性敏感结构及制备方法 公开/授权日:2024-08-23