- 专利标题: 一种基于MPCVD设备的金刚石表面杂质去除方法
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申请号: CN202411046608.8申请日: 2024-08-01
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公开(公告)号: CN118563278B公开(公告)日: 2024-10-18
- 发明人: 李长辉 , 吴家伟 , 全峰
- 申请人: 深圳优普莱等离子体技术有限公司 , 广东优普莱金刚石技术有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市光明区光明街道东周社区双明大道315号易方大厦1308;
- 专利权人: 深圳优普莱等离子体技术有限公司,广东优普莱金刚石技术有限公司
- 当前专利权人: 深圳优普莱等离子体技术有限公司,广东优普莱金刚石技术有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市光明区光明街道东周社区双明大道315号易方大厦1308;
- 代理机构: 深圳市君胜知识产权代理事务所
- 代理商 王永文
- 主分类号: C23C16/44
- IPC分类号: C23C16/44 ; C23C16/511 ; C30B25/02 ; C30B29/04 ; B08B7/00
摘要:
本发明公开了一种基于MPCVD设备的金刚石表面杂质去除方法,所述方法包括:当接收到第一刻蚀指令时,则对待刻蚀金刚石所处的反应腔体进行抽真空处理;当抽真空处理完成时,则向反应腔体充入预设流量范围的氢气和氧气,并进行等离子体激发处理,得到氢氧等离子体;根据氢氧等离子体对待刻蚀金刚石的生长面进行生长面刻蚀处理,以完成待刻蚀金刚石的生长面杂质去除;当接收到第二刻蚀指令时,则获取氢等离子体,并根据氢等离子体对待刻蚀金刚石的背面进行背面刻蚀处理,以完成待刻蚀金刚石的背面杂质去除。本发明通过MPCVD设备激发氢气和氧气产生氢氧等离子体,能够对金刚石表面杂质进行有效去除,保证了金刚石质检的正常进行。
公开/授权文献
- CN118563278A 一种基于MPCVD设备的金刚石表面杂质去除方法 公开/授权日:2024-08-30
IPC分类: