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公开(公告)号：CN118957752A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411033252.4
申请日：2024-07-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种大尺寸单晶金刚石衬底及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：自支撑多晶金刚石衬底的制备；覆Ir金刚石复合衬底的制备；单晶金刚石的制备。在Si衬底覆盖金刚石籽晶后生长多晶金刚石；对多晶金刚石正面抛光；在抛光后的多晶金刚石正面固定临时载片；去除Si衬底并对多晶金刚石背面抛光；去除临时载片形成自支撑多晶金刚石衬底；在MgO衬底上沉积定晶向Ir膜得到Ir/MgO复合衬底；将自支撑多晶金刚石衬底正面与Ir/MgO复合衬底进行键合，形成多晶金刚石/定晶向Ir膜/MgO复合衬底；去除MgO衬底形成覆Ir金刚石复合衬底；在覆Ir金刚石复合衬底上生长单晶金刚石，制得大尺寸单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN113423875B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202080011424.1
申请日：2020-03-30
申请人： 六号元素技术有限公司
发明人： A·M·埃德蒙斯 , M·L·玛尔卡哈姆 , P-O·F·M·科拉德
摘要： 单晶CVD金刚石材料，包含至少5ppm的总氮浓度和至少0.7的中性单一替位氮Ns0与总单一替位氮Ns之比。尽管氮的浓度相对高，但观察到这样的金刚石具有相对少量的棕色着色。还公开了制造单晶金刚石的方法，该方法包括在工艺气体中生长CVD金刚石，所述工艺气体除含碳气体和氢之外还包含60至200ppm氮，其中含碳气体中的碳原子与氢气中的氢原子之比为0.5至1.5％。
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公开(公告)号：CN117488401B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311472192.1
申请日：2023-11-07
申请人： 上海征世科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶金刚石生产设备用控温散热装置，控温散热装置包括柜体、控制系统、微波发生器、反应室、密封基板，控制系统与柜体紧固连接，微波发生器与柜体紧固连接，微波发生器与控制系统电连接，反应室与微波发生器的输出端连通，密封基板与反应室抵接，密封基板上设有沉积台，密封基板下方设有电动推杆，电动推杆与柜体紧固连接，柜体内设有散热系统，柜体为本装置的安装基础，为各组件提供稳定的工作环境，控制系统用于调控各组件的工作状态，散热系统用于控制金刚石生产过程中的温度，将温度控制在适合的区间。
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公开(公告)号：CN118880473A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411368096.7
申请日：2024-09-29
申请人： 浙江无限钻科技发展有限公司
摘要： 本发明属于金刚石光学晶体材料领域，具体涉及一种提升单晶金刚石光学均匀性的方法。该方法具体包含以下步骤：1.通过激光平整化、抛光以及清洗获得表面平整、无多晶点的单晶金刚石；2.将所述晶体置于六面顶压机中，并设置具体工艺参数进行退火；3.退火结束后，采用分段式降温工艺将晶体缓慢降至常温常压；4.降温结束后对晶体进行表面处理。本方法能够有效提升金刚石的质量，降低金刚石的位错密度和应力双折射，并能显著提升金刚石的光学均匀性和光学透过率。使用本方法获得的单晶金刚石，可以满足拉曼激光增益介质的需求。
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公开(公告)号：CN118880454A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410984411.2
申请日：2024-07-22
申请人： 佛山市海光智能科技有限公司
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/04 , C23C16/27 , C23C16/511
摘要： 本发明公开了一种长时间一次性生长的CVD单晶金刚石的制造方法，包括如下步骤：(1)晶种筛选；(2)晶种预处理；(3)使用MPCVD设备进行单晶片生长，步骤：a、将晶种置于梯田结构钼样品基片台，放置于MPCVD设备，抽真空，通入H2，点火启辉升温至700‑780℃后通入O2刻蚀60分钟，后通入CH4、N2，微波功率8‑9kw、气压17‑18KPa，保持温度800‑850℃2h；b、调整微波功率9‑9.5kw、气压18‑19KPa，待温度达850‑900℃，通入CH4、N2，保持30分钟，调整微波功率9.5‑10kw、气压19‑20KPa，保持温度1000‑1030℃，按设定时间周期定期根据生长速率控制基片台高度，定期关闭CH4、N2、O2通入刻蚀30分钟，后重新通入CH4、N2、O2恢复生长。实现一次性稳定生长700小时，良品率70％以上，产品厚度达6.0mm。
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公开(公告)号：CN118880453A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411113436.1
申请日：2024-08-14
申请人： 佳睿福钻石(河南)有限公司
发明人： 冯参军
摘要： 本发明公开了一种100面立方体型金刚石生产工艺，具体包括如下工艺步骤：步骤一：准备基片：首先，以硅为基片材料，对基片表面进行清洁处理，去除杂质和污垢；步骤二：预处理基片：在基片表面涂覆一层稳定的催化剂；步骤三：加载基片：将清洁处理过的基片放置于反应室中，并固定好位置，同时对反应室进行真空抽气。该100面立方体型金刚石生产工艺，通过利用CVD技术，通过在反应室中提供高纯度的气态物质，使用加热的衬底作为碳源，使有机分子分解并沉积在衬底上，形成金刚石晶体。相比于高温高压技术制备成本较低，同时通过精确控制掺杂元素气体的种类和浓度，以确保金刚石具有预定理想的半导体性能。
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公开(公告)号：CN118563278B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411046608.8
申请日：2024-08-01
申请人： 深圳优普莱等离子体技术有限公司 , 广东优普莱金刚石技术有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/511 , C30B25/02 , C30B29/04 , B08B7/00
摘要： 本发明公开了一种基于MPCVD设备的金刚石表面杂质去除方法，所述方法包括：当接收到第一刻蚀指令时，则对待刻蚀金刚石所处的反应腔体进行抽真空处理；当抽真空处理完成时，则向反应腔体充入预设流量范围的氢气和氧气，并进行等离子体激发处理，得到氢氧等离子体；根据氢氧等离子体对待刻蚀金刚石的生长面进行生长面刻蚀处理，以完成待刻蚀金刚石的生长面杂质去除；当接收到第二刻蚀指令时，则获取氢等离子体，并根据氢等离子体对待刻蚀金刚石的背面进行背面刻蚀处理，以完成待刻蚀金刚石的背面杂质去除。本发明通过MPCVD设备激发氢气和氧气产生氢氧等离子体，能够对金刚石表面杂质进行有效去除，保证了金刚石质检的正常进行。
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公开(公告)号：CN115652420B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211164359.3
申请日：2022-09-23
申请人： 唐合科技(内蒙古)股份有限公司
摘要： 本发明属于金刚石技术领域，具体涉及一种硅掺杂的纳米金刚石晶粒的制备方法，包括如下步骤：步骤1，将硅衬底进行研磨处理；步骤2，在研磨处理好的硅衬底上沉积金刚石；步骤3，对沉积金刚石二次压缩沉积；步骤4，反复步骤2和步骤3，得到硅掺杂的金刚石薄膜；步骤5，将金刚石薄膜进行剥离处理，得到硅掺杂的纳米金刚石晶粒。本发明解决了现有金刚石沉积的缺陷，利用甲硅烷和甲烷的压缩沉积体系，能够形成金刚石表面的空隙填补，有效的改善了金刚石粗糙的问题，同时配合低浓度沉积与硅元素的活性吸引，保证硅元素的掺杂性与被包裹特点。
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