发明公开
- 专利标题: 一种应用于多电子束光刻装备的电子光学系统及制造方法
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申请号: CN202410665884.6申请日: 2024-05-27
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公开(公告)号: CN118579718A公开(公告)日: 2024-09-03
- 发明人: 冯波 , 黄飞凤 , 陈艺勤 , 王彪 , 王乾丞 , 陈曌 , 陈鸿彬 , 段辉高
- 申请人: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
- 申请人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门;
- 专利权人: 湖南大学,湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
- 当前专利权人: 湖南大学,湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门;
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 王兆波
- 主分类号: B81B7/02
- IPC分类号: B81B7/02 ; G03F7/20 ; G03F7/00 ; B81C1/00
摘要:
本发明公开了一种应用于多电子束光刻装备的电子光学系统及制造方法,包括高压ASIC控制芯片、专用MEMS微孔阵列单元及传输线三个部分。其中专用MEMS微孔阵列单元作为核心部件,能够将入射在表面的电子束进行分束,大幅面扩展束流数量;高压ASIC控制芯片,利用传输线,将不同的电压加至专用MEMS微孔阵列旁边的金属膜层上;通过调整正/背面各金属/绝缘层之间的电压差,实现对入射电子束的聚焦、收束、偏转和投影等功能,最终能将束斑尺寸缩放至亚10纳米尺度,并能通过控制膜层数量灵活调整焦深,有利于电子光学系统的小型化。