发明公开
- 专利标题: 基于含氮化硅镁的强界面结合低碳耐火材料及其制备方法
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申请号: CN202410555855.4申请日: 2024-05-07
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公开(公告)号: CN118598646A公开(公告)日: 2024-09-06
- 发明人: 王杏 , 罗益欣 , 丁军 , 刘正龙 , 邓承继 , 余超 , 祝洪喜
- 申请人: 武汉科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 代理机构: 武汉科皓知识产权代理事务所
- 代理商 张火春
- 主分类号: C04B35/103
- IPC分类号: C04B35/103 ; C04B35/622
摘要:
本发明涉及一种基于含氮化硅镁的强界面结合低碳耐火材料及其制备方法。其技术方案是:将铝粉、氮化硅镁粉体和电熔白刚玉细粉混合,加入聚乙烯醇缩丁醛,搅拌,置于管式炉中,在氮气气氛和600~700℃条件下保温,制得复合粉体。将酚醛树脂加入酒精中搅拌,得混合物I,再将复合粉体分1~4次加入混合物I中,超声分散,得到混合物II。然后在搅拌条件下,依次加入电熔白刚玉颗粒、混合物II、鳞片石墨和铝粉,搅拌,压制成型,固化;固化后置于高温管式炉中,在氮气气氛中,于1200~1500℃保温,冷却至800~1100℃,保温,制得基于含氮化硅镁的强界面结合低碳耐火材料。本发明工艺简单、生产周期短和合成温度低,所制制品陶瓷相分布均匀、界面结合强度高和力学性能优异。
IPC分类: