本发明提供了一种晶片黏结薄膜、存储器芯片及其制备方法，晶片黏结薄膜以质量份数计包括以下组分：二氧化硅20～30份，橡胶改性环氧树脂20～25份，丙烯酸环氧树脂10～15份，柔性环氧树脂10～20份，聚氨酯改性环氧树脂15～20份，固化剂20～25份，促进剂0.5～1.0份；柔性环氧树脂为YX‑7400；通过调节橡胶改性环氧树脂、丙烯酸环氧树脂、柔性环氧树脂和聚氨酯改性环氧树脂之间的比例，并在促进剂的作用下，固化剂和混合环氧树脂交联形成一个整体，同时通过二氧化硅降低晶片黏结薄膜的内应力和热膨胀系数，使得晶片黏结薄膜具有超低模量、高粘着力和低吸水性。在芯片封装过程中，晶片黏结薄膜在高温下处于熔融状态，与芯片紧密接触，进而提高芯片的封装良率。