本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体器件的制备方法，解决了存储器等器件寄生电容高的问题。一种半导体结构的制备方法，其包括：在衬底上形成多个栅极，栅极包括由下至上堆叠的多晶硅层和保护层；在栅极表面形成氮化硅膜，形成第一侧墙；填充旋涂硬掩膜，覆盖多个栅极；回刻旋涂硬掩膜，直至栅极外露至少部分高度；在第一侧墙的侧壁形成第二侧墙；再次回刻旋涂硬掩膜，直至第二侧墙与剩余的旋涂硬掩膜在垂直方向上齐平；形成第三侧墙，覆盖第二侧墙和剩余的旋涂硬掩膜；刻蚀去除剩余的旋涂硬掩膜，形成空气间隙；形成第四侧墙，包围空气间隙。