发明公开
- 专利标题： 一种构造多芯片封装结构的方法及多芯片封装结构
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申请号： CN202410705051.8申请日： 2024-05-31
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公开(公告)号： CN118613062A公开(公告)日： 2024-09-06
- 发明人: 苏鹏
- 申请人： 上海先方半导体有限公司 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢801室;
- 专利权人： 上海先方半导体有限公司,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人： 上海先方半导体有限公司,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢801室;
- 代理机构： 上海智晟知识产权代理事务所
- 代理商 张东梅
- 主分类号： H10B80/00
- IPC分类号： H10B80/00 ; H01L21/60 ; H10B12/00 ; H10N97/00
摘要：
本发明涉及半导体封装技术领域，提出一种构造多芯片封装结构的方法及多芯片封装结构。该方法包括下列步骤：构造三维集成深沟槽电容器(3D‑IDTC)；提供双面互连的高带宽存储芯片(HBM)以及双面互连的系统级芯片(SOC)；以及将所述三维集成深沟槽电容器、所述双面互连的高带宽存储芯片以及所述双面互连的系统级芯片封装以形成多芯片封装结构。本发明通过堆叠多个具有DTC和TSV的硅晶圆，可以获得N倍的电容和更低的等效串联电感特性，同时在SOC周围布置3D集成深沟槽电容器，其互连距离短，可以快速实现大电容的电源去耦。
