本发明公开一种双面TOPCon电池的退火工艺。将双面沉积多晶硅层的硅片于惰性气氛下，在600℃～1000℃进行第一次退火，得预退火硅片；将预退火硅片于氧气和水蒸气的混合气氛下，于200℃～400℃进行第二次退火，得退火硅片。本发明提供的双面TOPCon电池的退火工艺，通过对退火工艺进行改进，不但提高了电池的长波段光学响应，还有效降低了载流子在多晶硅中的复合，显著提高了双面TOPCon电池的短路电流和电池效率，除此之外，还可省去传统制备双面TOPcon电池的正面减薄工序，有效降低了双面TOPCon电池制备工艺的难度，具有较高的推广应用价值。