公开(公告)号：CN118630097A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410769147.0

申请日：2024-06-14

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 宾鹏帅 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  史金超 ,  苏政 ,  孟灿 ,  周渊博 ,  于波 ,  刘莹 ,  麻超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开一种双面TOPCon电池的退火工艺。将双面沉积多晶硅层的硅片于惰性气氛下，在600℃～1000℃进行第一次退火，得预退火硅片；将预退火硅片于氧气和水蒸气的混合气氛下，于200℃～400℃进行第二次退火，得退火硅片。本发明提供的双面TOPCon电池的退火工艺，通过对退火工艺进行改进，不但提高了电池的长波段光学响应，还有效降低了载流子在多晶硅中的复合，显著提高了双面TOPCon电池的短路电流和电池效率，除此之外，还可省去传统制备双面TOPcon电池的正面减薄工序，有效降低了双面TOPCon电池制备工艺的难度，具有较高的推广应用价值。

公开(公告)号：CN118231528A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410547469.0

申请日：2024-05-06

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 马红娜 ,  王子谦 ,  郎芳 ,  王红芳 ,  夏新中 ,  赵学玲 ,  史金超 ,  潘明翠 ,  翟金叶 ,  孟庆超 ,  苏政 ,  孟灿 ,  周渊博 ,  宾鹏帅 ,  于波 ,  刘莹 ,  麻超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068

摘要： 本发明公开一种SE‑TOPCon电池及其制备方法。本发明在高温硼扩后，采用激光在金属电极区域进行重掺杂工艺，在非金属电极区域进行轻掺杂工艺，实现硅片正面的硼原子的分区掺杂；并且，配合调整高温磷扩散工艺，使在该步骤在完成硅片背面磷掺杂的同时，实现硅片正面硼原子的再分布；通过上述工艺调整，省去了传统工艺的高温退火工序，节省了设备成本、人工成本和材料成本，且通过控制激光推进工艺和磷扩散工艺的参数，避免了省去高温退火工序对电池性能的不利影响，保证了电池性能。本发明提供的SE‑TOPCon电池的制备方法简便、操作方便，能够有效降低生产成本，提高电池的生产效率，推进高效太阳电池制备技术的发展具有重要意义。