发明公开
- 专利标题: 一种LED芯片中金属氧化物透明电极及其制造方法
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申请号: CN202410782722.0申请日: 2024-06-18
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公开(公告)号: CN118630114A公开(公告)日: 2024-09-10
- 发明人: 韩胜男 , 吴向龙
- 申请人: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
- 申请人地址: 山东省潍坊市高新区金马路9号
- 专利权人: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
- 当前专利权人: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省潍坊市高新区金马路9号
- 代理机构: 济南金迪知识产权代理有限公司
- 代理商 于兆生
- 主分类号: H01L33/42
- IPC分类号: H01L33/42 ; H01L33/00
摘要:
本发明涉及一种LED芯片中金属氧化物透明电极及其制造方法,属于半导体加工技术领域。透明电极由下到上依次包括基底层、n型半导体层、p型半导体层和金属氧化物透明电极层,金属氧化物透明电极层上侧设置有第一电极,n型半导体层上侧设置有第二电极。本发明的金属氧化物透明电极具有较高的透光率和导电性能,能够有效促进LED芯片内部电荷的注入和扩散,从而提高光电转换效率,LED灯具所发出的光线更明亮、均匀,色彩更饱满,可满足不同场景下的照明需求。