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公开(公告)号：CN118630114A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410782722.0
申请日：2024-06-18
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种LED芯片中金属氧化物透明电极及其制造方法，属于半导体加工技术领域。透明电极由下到上依次包括基底层、n型半导体层、p型半导体层和金属氧化物透明电极层，金属氧化物透明电极层上侧设置有第一电极，n型半导体层上侧设置有第二电极。本发明的金属氧化物透明电极具有较高的透光率和导电性能，能够有效促进LED芯片内部电荷的注入和扩散，从而提高光电转换效率，LED灯具所发出的光线更明亮、均匀，色彩更饱满，可满足不同场景下的照明需求。
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公开(公告)号：CN118553684A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410666882.9
申请日：2024-05-28
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/3063
摘要： 本发明涉及一种利用电化学刻蚀快速剥离GaN厚膜方法，包括步骤如下：(1)形成沟道层；(2)生长得到GaN外延基片；(3)利用电化学刻蚀快速剥离GaN厚膜。本发明提供了一种利用电化学刻蚀快速剥离GaN厚膜方法，通过刻蚀通道，在GaN外延基片的中部形成沟道层，有效解决了现有电化学刻蚀装置进行刻蚀牺牲层时，牺牲层内部反应气体阻塞等问题。并且可以加速衬底和GaN厚膜的分离过程，仅仅通过一步电化学刻蚀就实现大尺寸衬底与GaN厚膜的的快速剥离，不仅提高了剥离速率，更提高了剥离成品率。
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公开(公告)号：CN118486767A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410680115.3
申请日：2024-05-29
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种有效改善LED芯片切割表面污染的方法，属于LED芯片切割技术领域。步骤包括贴双面粘性胶带、芯片绑定、贴膜、烘烤、切割、二流体清洗、扩膜、芯片解绑定和外观检验，本发明通过对芯片正面保护，避免切割过程中，芯片表面与切割碎屑的直接接触，有效改善残留碎屑污染的问题，切割后的芯片表面外观洁净，有效降低了污染的发生，提升芯片外观洁净度的同时提高了芯片后续焊线的可靠性，并同时可以切割作业2片，大幅提高切割效率。
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公开(公告)号：CN118053944A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211435605.4
申请日：2022-11-16
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种Micro LED的ICP刻蚀侧壁缺陷修复方法，包括：(1)对所述Micro LED进行湿法腐蚀工艺；(2)对所述湿法腐蚀后的所述Micro LED进行热退火处理；(3)对热退火处理后的所述Micro LED进行钝化处理。本发明选择特有的刻蚀掩膜材料、优化独有的ICP刻蚀工艺参数、开创独有的湿法腐蚀、热退火处理工艺以及侧壁钝化技术，基本改善了小尺寸Micro LED微缩化中的“边缘效率尺寸效应”的问题，大幅提升了其Micro LED的外量子效率EQE。
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公开(公告)号：CN117790645A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211160182.X
申请日：2022-09-22
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种反极性AlGaInP发光二极管的制备方法。该制备方法在完成P型GaP窗口层外延生长后，先对其刻蚀，再进行P型GaP欧姆接触层的外延生长，另外ODR中介质层采用高低折射率交替生长的材料代替单层介质层。通过采用该方法，不仅可以提高芯片亮度，同时保证芯片具有较强的抗ESD能力和较低的工作电压。
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公开(公告)号：CN117637963A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311608919.4
申请日：2023-11-29
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
发明人： 马海亚
摘要： 本发明公开一种具有高电流扩展能力的LED芯片结构及其制备方法。所述LED芯片结构的AlGaInP外延层上具有凹槽；AgNWs将该凹槽填充后覆盖所述外延层上表面，从而形成AgNWs层，所述AgNWs层的上表面上覆盖有FTO层。本发明的所述具有高电流扩展能力的LED芯片结构首先在AlGaInP外延层上设置凹槽，然后形成FTO/AgNWs透明导电层来对电流进行扩展，不仅避免了电流在电极下方的聚集，而且克服了FTO存在的方阻偏大，AgNWs存在的抗氧化性较差的问题。
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公开(公告)号：CN117637568A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311632439.1
申请日：2023-12-01
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
发明人： 刘滨
摘要： 本发明涉及半晶圆加工技术领域，具体涉及一种晶圆裂片机硅晶片图形显示装置。
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公开(公告)号：CN117457808A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210842600.7
申请日：2022-07-18
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，涉及半导体器件加工技术领域，具体为一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，包括以下操作步骤：步骤(1)：将晶片贴在研磨盘上，用研磨设备对衬底面进行研磨减薄；步骤(2)：将步骤(1)中减薄后的晶片放在贴膜机上加热，衬底背面朝下，将芯片贴在蓝膜上；步骤(3)：将步骤(2)处理后的晶片放进高压清洗机中，高压清洗机进行清洗。该改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，能够有效去除研磨后的表面残渣及研磨痕迹的残渣，同时对衬底表面没有任何损害且降低去除衬底表面残渣时的裂片率，增加衬底与蒸镀金属的粘附性，该方法操作简单，效率高。
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公开(公告)号：CN117080236A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311042859.4
申请日：2023-08-18
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种能够控制出光角度的Micro led芯片制备方法，属于光电子技术领域。本发明的焊盘为圆环状的圆环电极，通过圆环电极四周注入电流，通过ITO导入到环内的MQW层，从而产生发光，因环形电极及四周DBR层的限制，使光线集中于圆环出射，通过改变圆环的形状、材料可进一步改变出光角度，相较于正面出光的Micro芯片，本发明进一步缩小了出光角度，降低了对相邻像素的混光影响，本发明适用于RGB颜色的发光芯片。
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公开(公告)号：CN116960059A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310542417.X
申请日：2023-05-15
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/683 , H01L27/15
摘要： 本发明公开一种切割砷化镓基LED晶片的方法，包括步骤：(1)对晶片N面电极贴膜。然后对得到的晶片进行加热烘烤。(2)利用机械切割工具对该晶片的N面电极隔着膜层进行间隔全切，切割方向为CH1晶面。完成后继续沿着CH2晶面方向进行全部全切。完成后再次沿着所述CH1晶面方向进行全部全切。(3)将完成步骤(2)的晶片翻转使其P面电极朝上，贴膜的N面电极朝下，然后对P面电极进行扩膜，使所述晶片分割成为一个个独立的管芯，即可。本发明先在膜上进行半切，并在全切过程中不使用激光划片和裂片机，通过刀轮多通道切割更好的释放应力，全切避免切割过程中产生的P崩、N崩、裂纹等外观异常，能够很好的提升外观良率。
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