发明公开
CN118645566A 微型发光二极管装置
审中-实审
- 专利标题: 微型发光二极管装置
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申请号: CN202410177379.7申请日: 2024-02-08
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公开(公告)号: CN118645566A公开(公告)日: 2024-09-13
- 发明人: 陈立宜 , 李欣薇
- 申请人: 美科米尚技术有限公司
- 申请人地址: 萨摩亚阿庇亚市邮政信箱603号珩泰大楼
- 专利权人: 美科米尚技术有限公司
- 当前专利权人: 美科米尚技术有限公司
- 当前专利权人地址: 萨摩亚阿庇亚市邮政信箱603号珩泰大楼
- 代理机构: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 寿宁; 张琳
- 优先权: 18/182,388 20230313 US
- 主分类号: H01L33/02
- IPC分类号: H01L33/02 ; H01L33/42 ; H01L33/44 ; H01L33/32
摘要:
一种微型发光二极管装置包含基板、微型发光二极管、隔离层以及阴极透明电极。微型发光二极管设置于基板上,并包含p型III氮化物层、依序堆叠在p型III氮化物层上并具有为m的层数的n型III氮化物层以及在p型III氮化物层与n型III氮化物层之间的主动层。m为大于二的整数。n型III氮化物层的相互接触的顶层以及下一层含铝。隔离层在基板上且围绕微型发光二极管。阴极透明电极至少部分接触顶层的顶面。顶层的折射率小于下一层的折射率。借此,可以有效提高微型发光二极管的出光效率。
IPC分类: