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公开(公告)号：CN118645569A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410012305.8
申请日：2024-01-04
申请人： 美科米尚技术有限公司
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/00 , H01L33/42 , H01L25/075 , H01L27/15
摘要： 一种微型发光二极管装置包含基板、微型发光二极管以及透明顶电极。微型发光二极管设置于基板上，并包含p型GaN层、在p型GaN层上方的n型GaN层、在n型GaN层上方且与n型GaN层接触的n型掺杂InxAl(1‑x)N层以及在p型GaN层与n型GaN层之间的主动层。x是小于0.5的正数。透明顶电极覆盖并接触n型掺杂InxAl(1‑x)N层。n型掺杂InxAl(1‑x)N层的折射率小于n型GaN层的折射率。n型GaN层与n型掺杂InxAl(1‑x)N层的厚度的总和大于主动层与p型GaN层的厚度的总和。借此，可以有效提高微型发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN118645566A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410177379.7
申请日：2024-02-08
申请人： 美科米尚技术有限公司
摘要： 一种微型发光二极管装置包含基板、微型发光二极管、隔离层以及阴极透明电极。微型发光二极管设置于基板上，并包含p型III氮化物层、依序堆叠在p型III氮化物层上并具有为m的层数的n型III氮化物层以及在p型III氮化物层与n型III氮化物层之间的主动层。m为大于二的整数。n型III氮化物层的相互接触的顶层以及下一层含铝。隔离层在基板上且围绕微型发光二极管。阴极透明电极至少部分接触顶层的顶面。顶层的折射率小于下一层的折射率。借此，可以有效提高微型发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN118645565A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410037342.4
申请日：2024-01-10
申请人： 美科米尚技术有限公司
摘要： 一种微型发光二极管装置包含基板、微型发光二极管以及透明顶电极。微型发光二极管设置于基板上，并包含p型GaN层、在p型GaN层上方的n型III氮化物层、在n型III氮化物层上方且与n型III氮化物层接触的n型掺杂AlN层以及在p型GaN层与n型III氮化物层之间的主动层。透明顶电极覆盖并接触n型掺杂AlN层。n型掺杂AlN层的折射率小于n型III氮化物层的折射率。n型III氮化物层与n型掺杂AlN层的厚度的总和大于主动层与p型GaN层的厚度的总和。借此，可以有效提高微型发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN117219706A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310668435.2
申请日：2023-06-07
申请人： 美科米尚技术有限公司
摘要： 一种制造微型元件的方法包含：制备氮化镓基磊晶结构包含p型氮化镓层、在p型氮化镓层上的n型氮化镓层以及在n型氮化镓层上的未掺杂氮化镓层；形成光阻层于氮化镓基磊晶结构上，使未掺杂氮化镓层接触光阻层；图案化光阻层；经由经图案化的光阻层对氮化镓基磊晶结构执行等离子蚀刻工艺，直至经图案化的光阻层被完全去除，使得多个凸台形成于经蚀刻的氮化镓基磊晶结构上，其中些凸台的高度至少为1.0μm；以及继续执行等离子蚀刻工艺，直至未掺杂氮化镓层被完全去除，且经蚀刻的氮化镓基磊晶结构被切割成多个微型元件。借此，一次等离子蚀刻工艺即可在微型元件制造过程中完全去除光阻层，无需使用任何现有习知的光阻剥离剂。
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公开(公告)号：CN111834248B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201911014240.6
申请日：2019-10-23
申请人： 美科米尚技术有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种用于转移微型元件的方法。该方法包括：准备载体基板，载体基板上具有微型元件，其中黏着层位于载体基板和微型元件之间并接触载体基板和微型元件；借由转移头从载体基板上拾取微型元件；在接收基板上形成液体层；借由转移头将微型元件放置在接收基板上，使得微型元件与液体层接触并被毛细力夹持；以及将转移头移离接收基板，使得微型元件与转移头分离并黏附固定到接收基板。此方法实现无复杂电路设计的转移头，且转移制程中液体层的存在降低了转移成本。
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公开(公告)号：CN112216627B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010066351.8
申请日：2020-01-20
申请人： 美科米尚技术有限公司
发明人： 陈立宜
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 一种转移微型元件的方法，包括：借由对准辅助机构将可拆卸转移板对准；拾取微型元件并从对准辅助机构拆下可拆卸转移板；移动具有微型元件于其上的可拆卸转移板并组装至接收基板上方的另一个对准辅助机构以形成元件转移组件；将可拆卸转移板上的微型元件与接收基板对准；以及借由另一个对准辅助机构并通过可拆卸转移板将微型元件转移到接收基板上。本发明所提出的转移微型元件的方法可提高转移微型元件的处理量。
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公开(公告)号：CN110137128B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910427527.5
申请日：2017-02-24
申请人： 美科米尚技术有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L25/075
摘要： 本发明公开了一种用以处理半导体装置阵列的方法，该方法包含：将半导体装置阵列设置于接收基板上，其中半导体装置阵列具有至少一个故障部分；以及修理半导体装置阵列内的故障部分，其中修理半导体装置阵列内的故障部分包含下面两者的至少一个：当故障部分包含至少一个空缺时以至少一个补丁半导体装置修补半导体装置阵列内的空缺，以及当故障部分包含至少一个损毁半导体装置时以至少一个修复半导体装置修复半导体装置阵列内的损毁半导体装置。借此，当微型装置分别被转移至接收基板的像素时，有瑕疵的微型装置不会被转移至接收基板且也不会占据接收基板的对应像素的空间。
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公开(公告)号：CN108573991B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201711052105.1
申请日：2017-10-30
申请人： 美科米尚技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示装置的制造方法，其包含：在阵列基板上形成至少两个下导电线路；分别在下导电线路上设置至少四个微型发光元件；形成至少一个填充材料以覆盖微型发光元件；通过光微影工艺在填充材料中形成至少四个开口，使得微型发光元件分别暴露于填充材料的开口内；以及在填充材料上形成至少两个上导电线路。上导电线路通过填充材料的开口而电性连接于微型发光元件，且上导电线路以及下导电线路相交于微型发光元件。借此，由于填充材料的开口实质上对齐位于导电粘合层上的微型发光元件中对应的一个，因而省去制作光罩的成本。
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公开(公告)号：CN112928193A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011406465.9
申请日：2020-12-03
申请人： 美科米尚技术有限公司
发明人： 陈立宜
IPC分类号： H01L33/62
摘要： 本发明是发光二极管装置，包括基板、第一导电垫及第二导电垫、发光二极管、金属突出物、高分子层以及上部电极。基板包含上表面。第一导电垫及第二导电垫位于基板上。发光二极管位于第一导电垫上。金属突出物位于第二导电垫上。高分子层覆盖基板的上表面、第一导电垫、第二导电垫、金属突出物以及发光二极管。自金属突出物的顶部至基板的上表面的距离大于高分子层的厚度。上部电极覆盖发光二极管、高分子层以及金属突出物，使得发光二极管电性连接第二导电垫。本揭露可借由在单一步骤中从高分子层中曝露发光二极管的上表面及金属突出物的顶部而形成。因此形成光罩以图案化用以曝露第二导电垫的开口的步骤可被省略，可降低制造成本并提升制造效率。
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公开(公告)号：CN112928042A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011406428.8
申请日：2020-12-03
申请人： 美科米尚技术有限公司
发明人： 陈立宜
摘要： 一种处理微型装置的方法包含：以传送头固定微型装置；在微型装置与基材之间形成液体层；维持传送头的第一温度于环境温度之下；维持基材的第二温度于环境温度之下；以及以液体层贴附微型装置至基材。处理微型装置的方法能有效提升以液体层贴附微型装置及基材的可靠度。
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