Invention Publication
- Patent Title: 一种半导体发光结构及其制备方法
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Application No.: CN202411124204.6Application Date: 2024-08-16
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Publication No.: CN118645881APublication Date: 2024-09-13
- Inventor: 刘治 , 李增成 , 吴思
- Applicant: 苏州镓锐芯光科技有限公司
- Applicant Address: 江苏省苏州市高新区漓江路56号1幢2楼
- Assignee: 苏州镓锐芯光科技有限公司
- Current Assignee: 苏州镓锐芯光科技有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省苏州市高新区漓江路56号1幢2楼
- Agency: 北京聿宏知识产权代理有限公司
- Agent 吴大建; 金淼
- Main IPC: H01S5/34
- IPC: H01S5/34 ; H01S5/343

Abstract:
本申请提供一种半导体发光结构及其制备方法,半导体发光结构包括:依次层叠的衬底层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层;其中,所述下限制层包括多个层叠的子下限制层组,所述子下限制层组包括层叠的第一子下限制层和第二子下限制层,所述第一子下限制层相对于所述衬底层呈压应变,所述第二子下限制层相对于所述衬底层呈张应变,所述子下限制层组中的所述第二子下限制层的折射率小于所述第一子下限制层的折射率。半导体发光结构的可靠性提高。
Public/Granted literature
- CN118645881B 一种半导体发光结构及其制备方法 Public/Granted day:2025-02-07
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