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公开(公告)号：CN118507614B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410969444.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 苏州镓锐芯光科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：依次层叠的第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二限制层；电子阻挡层，位于所述第二波导层和所述第二限制层之间；电子减速层，位于所述电子阻挡层和所述第二波导层之间；其中，所述电子减速层为超晶格结构，所述电子减速层包括多个层叠的单元层，所述单元层包括交替层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的带隙小于所述第二子层的带隙；其中，所述第一子层的带隙大于所述第二波导层的带隙，所述第二子层的带隙小于所述电子阻挡层的带隙。所述半导体发光结构的出光效率提高。
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公开(公告)号：CN118676729B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411170200.1
申请日：2024-08-26
Applicant: 苏州镓锐芯光科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：半导体衬底层，半导体衬底层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面具有第一晶面，第二表面具有第二晶面，第一晶面平行于第二晶面，半导体衬底层为GaN衬底；位于第二表面的应力调制层，应力调制层与半导体衬底层接触，应力调制层平行于第二晶面的晶格常数小于半导体衬底层平行于第二晶面的晶格常数；位于第一表面的发光主体结构，发光主体结构包括与半导体衬底层接触的下限制层，下限制层平行于第一晶面的晶格常数小于半导体衬底层平行于第一晶面的晶格常数，下限制层的晶系和半导体衬底层的晶系相同且均为六方晶体结构，下限制层的材料为AlzGa1‑zN。
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公开(公告)号：CN118315923B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410666958.8
申请日：2024-05-28
Applicant: 苏州镓锐芯光科技有限公司
IPC: H01S5/042
Abstract: 本申请提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：层叠的第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层、接触层和正面电极层；所述接触层背离所述有源层的一侧表面具有纳米尺度的第一凹凸结构，所述第一凹凸结构包括多个第一凸起和位于所述第一凸起之间的第一凹陷；所述正面电极层朝向所述接触层的一侧表面具有纳米尺度的第二凹凸结构，所述第二凹凸结构包括多个第二凸起和位于所述第二凸起之间的第二凹陷；其中，所述第一凸起位于所述第二凹陷中，所述第二凸起位于所述第一凹陷中。提高大电流下接触层和正面电极层接触的稳定性，降低半导体发光结构的工作电压，改善半导体发光结构的长期工作稳定性。
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公开(公告)号：CN118645881A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411124204.6
申请日：2024-08-16
Applicant: 苏州镓锐芯光科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：依次层叠的衬底层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；其中，所述下限制层包括多个层叠的子下限制层组，所述子下限制层组包括层叠的第一子下限制层和第二子下限制层，所述第一子下限制层相对于所述衬底层呈压应变，所述第二子下限制层相对于所述衬底层呈张应变，所述子下限制层组中的所述第二子下限制层的折射率小于所述第一子下限制层的折射率。半导体发光结构的可靠性提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118507614A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410969444.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 苏州镓锐芯光科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：依次层叠的第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二限制层；电子阻挡层，位于所述第二波导层和所述第二限制层之间；电子减速层，位于所述电子阻挡层和所述第二波导层之间；其中，所述电子减速层为超晶格结构，所述电子减速层包括多个层叠的单元层，所述单元层包括交替层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的带隙小于所述第二子层的带隙；其中，所述第一子层的带隙大于所述第二波导层的带隙，所述第二子层的带隙小于所述电子阻挡层的带隙。所述半导体发光结构的出光效率提高。
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公开(公告)号：CN118315923A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410666958.8
申请日：2024-05-28
Applicant: 苏州镓锐芯光科技有限公司
IPC: H01S5/042
Abstract: 本申请提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：层叠的第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层、接触层和正面电极层；所述接触层背离所述有源层的一侧表面具有纳米尺度的第一凹凸结构，所述第一凹凸结构包括多个第一凸起和位于所述第一凸起之间的第一凹陷；所述正面电极层朝向所述接触层的一侧表面具有纳米尺度的第二凹凸结构，所述第二凹凸结构包括多个第二凸起和位于所述第二凸起之间的第二凹陷；其中，所述第一凸起位于所述第二凹陷中，所述第二凸起位于所述第一凹陷中。提高大电流下接触层和正面电极层接触的稳定性，降低半导体发光结构的工作电压，改善半导体发光结构的长期工作稳定性。
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公开(公告)号：CN118645881B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411124204.6
申请日：2024-08-16
Applicant: 苏州镓锐芯光科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：依次层叠的衬底层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；其中，所述下限制层包括多个层叠的子下限制层组，所述子下限制层组包括层叠的第一子下限制层和第二子下限制层，所述第一子下限制层相对于所述衬底层呈压应变，所述第二子下限制层相对于所述衬底层呈张应变，所述子下限制层组中的所述第二子下限制层的折射率小于所述第一子下限制层的折射率。半导体发光结构的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN118676729A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411170200.1
申请日：2024-08-26
Applicant: 苏州镓锐芯光科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：半导体衬底层，半导体衬底层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面具有第一晶面，第二表面具有第二晶面，第一晶面平行于第二晶面，半导体衬底层为GaN衬底；位于第二表面的应力调制层，应力调制层与半导体衬底层接触，应力调制层平行于第二晶面的晶格常数小于半导体衬底层平行于第二晶面的晶格常数；位于第一表面的发光主体结构，发光主体结构包括与半导体衬底层接触的下限制层，下限制层平行于第一晶面的晶格常数小于半导体衬底层平行于第一晶面的晶格常数，下限制层的晶系和半导体衬底层的晶系相同且均为六方晶体结构，下限制层的材料为AlzGa1‑zN。
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公开(公告)号：CN117895330A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410247842.0
申请日：2024-03-05
Applicant: 苏州镓锐芯光科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：衬底层；位于所述衬底层上的第一半导体层；位于第一半导体层背离所述衬底层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述衬底层一侧的第二半导体层，所述第二半导体层中具有受主掺杂离子；位于所述第二半导体层背离所述衬底层一侧的氢扩散阻挡层，所述氢扩散阻挡层中具有开口区；所述第二半导体层包括位于所述氢扩散阻挡层底部的第一区域和位于开口区底部的第二区域，所述第一区域中的氢含量大于所述第二区域中的氢含量。所述半导体发光结构的漏电减小，制备工艺简化。
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