本发明属于半导体技术领域，公开了一种沟槽式MOSFET的制备方法，具体制备步骤如下：S1在外延层和氮化硅层表面形成多晶硅；S2在氮化硅层两侧壁残留侧壁多晶硅，在外延层上蚀刻出沟槽Ⅰ，生成闸极氧化层；S3在沟槽Ⅰ内填入闸极多晶硅；S4去除侧壁多晶硅和闸极多晶硅，沉积遮避氧化层；S5形成P型阱区Ⅰ和N型阱区；S6沉积介电层；S7在沟槽Ⅱ内离子注入P型阱区Ⅱ；S8沉积金属形成电极。本发明在保证器件静态特性不受影响的前提下，只需要采用二层光罩就能实现沟槽式MOSFET的制作，不仅大幅降低了MOSFET器件的生产成本，还进一步缩减了MOSFET器件的生产时间，大大提高了工作效率。