本申请提出一种背接触异质结电池及其制作方法，其中，背接触异质结电池包括：衬底，衬底具有相对的向光面和背光面；依次设置于向光面的隧穿氧化层和多晶硅层；依次设置于背光面的隧穿氧化层、多晶硅层和非晶硅发射极层，非晶硅发射极层中包括第一发射极，第一发射极为非晶硅发射极；其中，衬底和多晶硅层的导电类型为第一导电类型，第一发射极的导电类型为第二导电类型。通过在背光面侧的多晶硅层上沉积非晶硅发射极层，可以实现TOPCon技术和HJT技术的结合，提高电池效率。