发明公开
- 专利标题: 一种具备超低腐蚀电流密度的高熵合金及其制备方法
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申请号: CN202410801615.8申请日: 2024-06-20
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公开(公告)号: CN118668120A公开(公告)日: 2024-09-20
- 发明人: 吕威闫 , 邹馨怡 , 王德斌 , 张锁德 , 杨柏俊 , 孙文海 , 韩冬 , 王琦 , 王建强
- 申请人: 中国科学院金属研究所
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 专利权人: 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人: 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 代理机构: 沈阳科苑专利商标代理有限公司
- 代理商 马驰
- 主分类号: C22C30/00
- IPC分类号: C22C30/00 ; C22C1/03
摘要:
本发明公开了一种具备超低腐蚀电流密度的高熵合金及其制备方法。该高熵合金的化学表达式为AlaCrxTayMobMc,M应为Ti或V,Cr和Ta元素的配比份数必须相等,即x=y,同时0.9<x、y<1.1,0.3≤a≤0.6,0.8≤b≤1.2,0.8≤c≤1.2。该高熵合金为单相BCC结构,在3.5wt.%NaCl溶液环境中腐蚀电流密度低至9.12×10‑10A/cm2,在26.47wt.%饱和NaCl溶液环境中腐蚀电流密度为3.33×10‑8A/cm2,在36.5wt.%即12mol/L浓HCl溶液环境中腐蚀电流密度为2.51×10‑7A/cm2,并且该高熵合金在几种腐蚀环境下均具备较宽的钝化区间及较高的点蚀电位,在严苛腐蚀环境下仍具备优异的耐蚀性能。此外,本发明高熵合金采用真空电弧熔炼方法即可获得,制备方法简单。