本发明涉及一种浸没光刻机，包括：激光器，发射激光束；多组透镜，设置在激光器和浸没室之间，用于聚焦和准直激光器发出的激光束；浸没室，设置在透镜与掩膜之间，或设置在掩膜与晶圆之间，其内填充高折射率介质；掩膜，设置在浸没室下方，激光束经过浸没室后照射到掩膜上并形成图形化光束；控制系统，被配置为调节高折射率介质的流动速度和/或温度；晶圆，设置在掩膜下方，图形化光束经过掩膜后照射到晶圆上，使晶圆表面的光刻胶发生化学反应或物理变化，形成对应的图案。本发明解决了现有光刻工艺中受限于光刻光源的有效波长、焦深较短，光刻分辨率和精度低的技术问题。