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公开(公告)号：CN118963054A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411443107.3
申请日：2024-10-16
申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/00 , H01L21/027
摘要： 本发明属于半导体技术领域，提供一种掩模版及光刻工艺。掩模版第一图形器件区域为纳米压印光刻图形区域，为非透光图形区域，包括用于进行纳米压印的电子芯片图形；第二图形器件区域为接触式/接近式光刻图形区域，为透光光罩区域，包括用于曝光的电子芯片图形；第一图形器件区域和所述第二图形器件区域集成在一块掩模版，以使纳米压印光刻过程和接触式/接近式光刻能够同步进行。采用掩模版对晶圆基底进行处理，包括：采用第一图形器件区域对光刻胶进行纳米压印处理，获得纳米压印图形，采用第二图形器件区域对光刻胶进行曝光处理，获得曝光图形；使用显影液溶解去除曝光图形的光刻胶；将纳米压印图形，以及显影后的曝光图形转移到晶圆基底上。
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公开(公告)号：CN118759804A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411136623.1
申请日：2024-08-19
申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司
摘要： 本发明提供一种line光刻方法。提供一掩模版、提供一晶圆基底，在晶圆基底上沉积硬质掩膜层，并在硬质掩膜层表面形成光刻胶层；进行曝光显影，形成光刻图形：其中，在曝光显影过程中，采用365纳米波长的紫外光照射光刻胶层，对掩模版图形进行曝光显影，调整365纳米波长的紫外光的焦距，以缩小光刻特征尺寸；曝光显影结束后，对晶圆基底进行加热，使光刻胶软化变形，以缩小光刻特征尺寸至所需特征尺寸；进行刻蚀，将光刻图形转移到晶圆基底。通过改进曝光方法，分多部进行曝光，不同曝光步骤中，调节曝光聚焦深度，曝光显影步骤后增加热烘步骤，使光刻胶软化膨胀变形，进而能够缩小图形特征尺寸。
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公开(公告)号：CN118963063A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411036476.0
申请日：2024-07-31
申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司
IPC分类号： G03F7/16 , B05B9/04 , B05B15/40 , B05B12/00 , B05B15/55 , G03F7/30 , B01D29/00 , B01D53/26 , B08B3/02
摘要： 本发明设计一种化学品供应系统及控制方法，该系统包括：存储装置、喷洒装置和控制终端；其中，存储装置分别通过第一管路、第二管路和喷洒装置连通，以向喷洒装置供给或回收化学品；第一管路和第二管路中均设有过滤装置；喷洒装置包括化学品腔室、第一阀门、第二阀门和喷嘴；第一阀门设置在化学品腔室内；第一阀门关闭时，将化学品腔室分隔为第一腔室和第二腔室；第二阀门设置在第一腔腔室与第二管路的连接处；控制终端与第一阀门、第二阀门均连接，以控制阀门的开关。本发明通过回收喷洒装置中的化学品减少了非工艺期间的化学品消耗，同时，通过设置冗余的过滤装置确保了过滤的有效性，提高了光刻/显影工艺的稳定性和产品的质量。
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公开(公告)号：CN117276178A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311294596.6
申请日：2023-10-08
申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种晶圆平台，用于承载晶圆，包括：承载盘；若干个活动支撑引脚间隔活动安装在承载盘表面上，可相对承载盘表面做升降运动；通过平坦度检测机构检测置放在支撑引脚上的晶圆的平坦度，生成晶圆平坦度检测信号；引脚执行机构能够单独驱动每个引脚运动，调整每个引脚的高度；控制器获取晶圆平坦度检测信号，并基于晶圆平坦度检测信号计算每个支撑引脚的控制信号，传递至支撑引脚执行机构，引脚执行机构根据每个支撑引脚的控制信号控制每个引脚动作，调整支撑引脚相对承载盘表面的高度，使晶圆趋于平坦。本发明通过在晶圆平台上设置支撑引脚，并将支撑引脚设计为可升降结构，根据晶圆的平坦度调整支撑引脚的高度，进而可调整晶圆至平坦。
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公开(公告)号：CN118672072A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410798926.3
申请日：2024-06-20
申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明涉及一种浸没光刻机，包括：激光器，发射激光束；多组透镜，设置在激光器和浸没室之间，用于聚焦和准直激光器发出的激光束；浸没室，设置在透镜与掩膜之间，或设置在掩膜与晶圆之间，其内填充高折射率介质；掩膜，设置在浸没室下方，激光束经过浸没室后照射到掩膜上并形成图形化光束；控制系统，被配置为调节高折射率介质的流动速度和/或温度；晶圆，设置在掩膜下方，图形化光束经过掩膜后照射到晶圆上，使晶圆表面的光刻胶发生化学反应或物理变化，形成对应的图案。本发明解决了现有光刻工艺中受限于光刻光源的有效波长、焦深较短，光刻分辨率和精度低的技术问题。
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