本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种VCSEL阵列芯片及其制造方法，该VCSEL阵列芯片自下而上依次为背面电极、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、氧化层、P‑DBR、P+GaAs、TaN薄膜层、接触电极、正面电极；VCSEL阵列芯片的出光孔呈阵列排布；正面电极为分离式正面电极，分别位于焊线区域和出光孔的接触电极区域，并通过所述TaN薄膜层相连接。本发明通过从芯片结构上进行优化，出光孔阵列排布，正面电极分离设置，并通过TaN薄膜层进行连接，在保证导电的同时降低了电极材料Au的消耗，大大降低成本、提高可靠性，加工方便。