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公开(公告)号：CN117525233B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410015099.6
申请日：2024-01-05
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/44 , H01L33/30 , H01L33/20 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种小尺寸红光LED芯片及其制造方法。该芯片由下至上依次包括背面电极、GaAs衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、P型GaP层和透明导电薄膜层；透明导电薄膜层远离所述GaAs衬底一侧的局部表面覆盖有正面电极；P型GaP层上表面具有向下刻蚀形成的凹陷部，凹陷部中设置有用于将凹陷部填满的凸起部，且凸起部的上端面与所述P型GaP层齐平或者高出P型GaP层并嵌入所述透明导电薄膜层，凸起部包括绝缘填充层。本申请提供的LED芯片结构能够解决现有技术存在的出光亮度低、焊线挖电极、可靠性差中的至少一个技术问题。
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公开(公告)号：CN117025103A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310926632.X
申请日：2023-07-26
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
IPC分类号： C09J5/02 , B24B37/04 , H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种表面活化液及其键合应用，属于表面活化液及键合技术领域。本发明提供了一种用于砷化镓衬底键合蓝宝石衬底的表面活化液，其配方为：KOH、甘油、去离子水；其中，所述KOH的浓度为3.2‑4.0mol/L；活化液配制时，采用KOH溶液或晶体、以甘油和去离子水的混合溶液作为稀释液进行配制，甘油与去离子水的体积比为1:(2.5‑5)。本发明制备的表面活化液用于砷化镓衬底键合蓝宝石衬底，其不会腐蚀砷化镓衬底，反应过程不放热，所以不会出现因腐蚀导致砷化镓衬底不平整的问题，减少了键合时受压不均匀的缺陷，大幅度提升了键合良率。
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公开(公告)号：CN118693615A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411178458.6
申请日：2024-08-27
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种VCSEL阵列芯片及其制造方法，该VCSEL阵列芯片自下而上依次为背面电极、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、氧化层、P‑DBR、P+GaAs、TaN薄膜层、接触电极、正面电极；VCSEL阵列芯片的出光孔呈阵列排布；正面电极为分离式正面电极，分别位于焊线区域和出光孔的接触电极区域，并通过所述TaN薄膜层相连接。本发明通过从芯片结构上进行优化，出光孔阵列排布，正面电极分离设置，并通过TaN薄膜层进行连接，在保证导电的同时降低了电极材料Au的消耗，大大降低成本、提高可靠性，加工方便。
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公开(公告)号：CN117712830B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410159974.8
申请日：2024-02-05
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法。上述垂直腔面发射激光器，包括：GaAs衬底，以及在所述GaAs衬底上依次设置的GaAs缓冲层、N型DBR层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层、P型DBR层、P型GaAs帽子层和导电增透膜层；其中，所述P型DBR层局部区域通过离子注入形成贯通所述P型DBR层的环状离子注入带，所述环状离子注入带将所述P型DBR层分成环内的第一非离子注入区，以及环外的第二非离子注入区，且所述第二非离子注入区将所述环状离子注入带完全包围。该结构可以实现单一激光模式，同时具有输出功率高、低阈值电流，器件可靠性高和加工过程简易的优点。
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公开(公告)号：CN117525233A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410015099.6
申请日：2024-01-05
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/44 , H01L33/30 , H01L33/20 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种小尺寸红光LED芯片及其制造方法。该芯片由下至上依次包括背面电极、GaAs衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、P型GaP层和透明导电薄膜层；透明导电薄膜层远离所述GaAs衬底一侧的局部表面覆盖有正面电极；P型GaP层上表面具有向下刻蚀形成的凹陷部，凹陷部中设置有用于将凹陷部填满的凸起部，且凸起部的上端面与所述P型GaP层齐平或者高出P型GaP层并嵌入所述透明导电薄膜层，凸起部包括绝缘填充层。本申请提供的LED芯片结构能够解决现有技术存在的出光亮度低、焊线挖电极、可靠性差中的至少一个技术问题。
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公开(公告)号：CN116544329B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310825779.X
申请日：2023-07-07
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
发明人： 陈宝
摘要： 本发明涉及半导体器件加工领域，尤其涉及一种带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片及其制备方法。该带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层和GaP窗口层，在GaAs衬底的下面制作N‑电极；所述GaP窗口层上设置有ITO薄膜层，ITO薄膜层上设置有P‑电极，在ITO薄膜层P‑电极覆盖区域外通过蚀刻形成若干个均匀分布、向下凹、具有非常规曲面的微透镜，光在ITO薄膜层的非常规曲面表面发生折射现象，实现对不同方向的光源进行光路调节，提升LED芯片产品的亮度和出光光效。
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公开(公告)号：CN116613626A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310896576.X
申请日：2023-07-21
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，可有效解决VCSEL芯片的散热问题，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN116544329A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310825779.X
申请日：2023-07-07
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
发明人： 陈宝
摘要： 本发明涉及半导体器件加工领域，尤其涉及一种带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片及其制备方法。该带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层和GaP窗口层，在GaAs衬底的下面制作N‑电极；所述GaP窗口层上设置有ITO薄膜层，ITO薄膜层上设置有P‑电极，在ITO薄膜层P‑电极覆盖区域外通过蚀刻形成若干个均匀分布、向下凹、具有非常规曲面的微透镜，光在ITO薄膜层的非常规曲面表面发生折射现象，实现对不同方向的光源进行光路调节，提升LED芯片产品的亮度和出光光效。
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公开(公告)号：CN118073491A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410501091.0
申请日：2024-04-25
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种点光源LED芯片及其制作方法和应用。该芯片包括从下至上依次堆叠设置的背面电极、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N型DBR层、N型半导体层、MQW发光层、P型半导体层、氧化限制层、过渡层、GaP电流扩展层、透明导电薄膜层和正面电极；N型DBR层包括交替生长的AlAs层和AlGaAs层，正面电极具有出光孔，氧化限制层具有通过湿法氧化形成的环状的氧化限制带，氧化限制带设置于氧化限制层的外缘，且氧化限制带的氧化深度不超过出光孔边沿。本申请提供的点光源LED芯片能够在低亮度条件下实现光源亮度的精准调节。
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公开(公告)号：CN117712830A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410159974.8
申请日：2024-02-05
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法。上述垂直腔面发射激光器，包括：GaAs衬底，以及在所述GaAs衬底上依次设置的GaAs缓冲层、N型DBR层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层、P型DBR层、P型GaAs帽子层和导电增透膜层；其中，所述P型DBR层局部区域通过离子注入形成贯通所述P型DBR层的环状离子注入带，所述环状离子注入带将所述P型DBR层分成环内的第一非离子注入区，以及环外的第二非离子注入区，且所述第二非离子注入区将所述环状离子注入带完全包围。该结构可以实现单一激光模式，同时具有输出功率高、低阈值电流，器件可靠性高和加工过程简易的优点。
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