本发明涉及TOPCon电池制备技术领域，公开了一种提升p‑n结深度批间均匀性的方法。本发明对硼扩散工艺进行优化。首先，本发明通过在硼扩散炉的进气口、出气口设置于炉的两端，作为硼扩散气体均匀穿过所有硅片的前提；然后通过设置弥散板在靠近进气口的舟托的进气端，并使得在进气时，直接向弥散板脉冲气体，使气体能弥散于扩散炉内，使得气体能均匀穿过所有硅片；并在靠近出气口的舟托的出气端设置平衡板，用于防止抽气时会在炉内产生涡流，保证口部抽速与尾部接近，从而提高硼扩散的均匀性。