公开(公告)号：CN118712268B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410815155.4

申请日：2024-06-24

Applicant: 无锡松煜科技有限公司

Inventor： 李丙科 ,  沈子阳 ,  张振坤 ,  李宏斌 ,  陈庆敏

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/1223 ,  H10F10/144

Abstract: 本发明涉及TOPCon电池制备技术领域，公开了一种提升p‑n结深度批间均匀性的方法。本发明对硼扩散工艺进行优化。首先，本发明通过在硼扩散炉的进气口、出气口设置于炉的两端，作为硼扩散气体均匀穿过所有硅片的前提；然后通过设置弥散板在靠近进气口的舟托的进气端，并使得在进气时，直接向弥散板脉冲气体，使气体能弥散于扩散炉内，使得气体能均匀穿过所有硅片；并在靠近出气口的舟托的出气端设置平衡板，用于防止抽气时会在炉内产生涡流，保证口部抽速与尾部接近，从而提高硼扩散的均匀性。

公开(公告)号：CN119392201A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411389204.9

申请日：2024-10-08

Applicant: 无锡松煜科技有限公司

Inventor： 苏文涛 ,  王洪喆 ,  宋银海 ,  陈庆敏 ,  李丙科

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/32 ,  C23C16/509 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明属于等离子体镀膜技术领域，涉及一种用于化学气相沉积管式炉的石英管的镀膜设备、镀膜方法及石英管，其中，镀膜设备包括镀膜炉体、设置在镀膜炉体内壁上的外电极、设置在镀膜炉体内腔的内电极、与内电极和外电极电连的射频电源、为镀膜炉体内腔提供热量的加热结构、设置在镀膜炉体内腔的用于支托待镀膜石英管的支托结构以及设置在镀膜炉体端部的进气结构和出气结构，所述外电极与所述内电极之间形成反应区域，镀膜时，待镀膜石英管套设于所述内电极外，位于所述反应区域内。本发明形成于石英管内表面的薄膜，致密性好，厚度均匀性佳，能够有效防止石英管在化学气相沉积过程中的破裂。

公开(公告)号：CN119325300A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202411863952.6

申请日：2024-12-18

Applicant: 无锡松煜科技有限公司

Inventor： 郑波 ,  王洪喆 ,  陈庆敏 ,  李丙科 ,  顾君

IPC: H10F71/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明提供一种提高太阳能电池片半切片组件功率的方法，包括：（1）提供一个化学气相沉积室，化学气相沉积室内设有载具，载具设有沉积开口，沉积开口上方设有激光光源；（2）将切片放置于载具中并使得所述切片断面从沉积开口完全外露，抽真空，一次通入N2、通入TMA、抽真空、二次通入N2、通入水蒸气、抽真空，以此循环，在切片断面表面沉积氧化铝膜层；（3）采用激光光源对氧化铝膜层照射升温，退火，破真空出腔；步骤（2）中，单个循环中：控制TMA的总气流量小于一次通入N2的总气流量，控制水蒸气的总气流量小于二次通入N2的总气流量。本发明通过优化氧化铝膜层的沉积工艺，降低绕镀，提高组件功率。

公开(公告)号：CN118166327B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410064864.3

申请日：2024-01-17

Applicant: 无锡松煜科技有限公司

Inventor： 陈庆敏 ,  骆晨阳 ,  李丙科

IPC: C23C14/50 ,  H01L21/223 ,  H01L31/18 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明属于推拉舟技术领域，尤其涉及一种用于硼扩散过程的碳化硅桨装置。本发明包括推拉舟模组，推拉舟模组设置在动力单元上；舟桨托架组件，设置于推拉舟模组一侧；管型舟桨组件，设置于舟桨托架组件下侧，且设置在动力单元上；管型舟桨组件包括矩形碳化硅杆，半架夹紧块，用于夹持矩形碳化硅杆的杆轴夹紧块。本申请的碳化硅桨整体使用一对具有矩形截面碳化硅杆构成，将晶舟置于两个碳化硅杆之间即可实现对晶舟的支撑效果，此外还设置了夹紧装置以保证了对碳化硅桨端部的固定作用，使得碳化硅桨在承载更多重量的晶舟时，也能够保持稳定。

公开(公告)号：CN118380510B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410804183.6

申请日：2024-06-21

Applicant: 无锡松煜科技有限公司

Inventor： 俞玉松 ,  卓倩武 ,  陆明涛 ,  陈庆敏

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/67 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于ALD工艺制备叠层氧化铝膜层的方法，属于太阳能电池技术和半导体技术领域。本发明针对原子层沉积(ALD)工艺进行了改进，由传统的单类型氧化铝膜层改变成多层氧化铝膜；具体地，至少满足如下至少一种情形：多层氧化铝膜中的底层膜含有的TMA的量高于顶层膜含有的TMA的量，和/或，多层氧化铝膜中的底层膜含有的H2O量低于顶层膜含有的H2O量。该方法相比现有多层氧化铝膜中H2O和TMA源量相当的方法能够获得性能更优的氧化铝膜层。

公开(公告)号：CN118835221A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410886405.3

申请日：2024-07-03

Applicant: 无锡松煜科技有限公司

Inventor： 陈庆敏 ,  李丙科 ,  宋银海 ,  杨增武

IPC: C23C16/455 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种匀流结构以及ALD设备，包括壳体、弥散管以及匀流板，壳体上设置进气端以及出气端；弥散管位于壳体中，所述弥散管上设置由若干弥散孔用于匀流，所述弥散管连通壳体的进气端；匀流板位于壳体的出气端，匀流板用于将经过弥散管后的气体再一次进行匀流。采用弥散管和匀流板相配合的方式，在负压环境下，也可以使气体充分混合。从而提高工艺效果。尤其对于多种特气需要均匀混合的工艺，本发明的匀流结构可以使之充分混合均匀。

公开(公告)号：CN117153950B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202311355611.3

申请日：2023-10-19

Applicant: 无锡松煜科技有限公司

Inventor： 陈庆敏 ,  李丙科 ,  宋银海 ,  张海洋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种低温硼激活方法。本发明通过在低温（300~900℃）下进行短时快速退火，促使氢元素在氢化掺硼半导体膜层中重新分布，从而实现硼元素的短距离移动（向本征层扩散）。有效避免因高温（温度＞900℃）退火带来的氢元素溢出而引起的氢化掺硼半导体膜层内的缺陷态密度增大的不良影响。本发明的低温硼激活方法有效解决了高温硼激活带来的因硼扩散而引起的选择性隧穿层的化学钝化效果变差的不良影响。本发明从根本上提升了钝化隧穿结构的化学及场效应钝化性能，同时有效保障其与金属电极的良好接触。本发明的低温硼激活方法不仅大大降低电耗，还能降低因高温引起的设备硬件寿命带来的生产成本方面的消耗。

公开(公告)号：CN118658928A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410952030.6

申请日：2024-07-16

Applicant: 无锡松煜科技有限公司

Inventor： 吕国剑 ,  郑波 ,  陈庆敏 ,  李丙科

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明公开了一种用于提升填充因子的光伏电池的制备方法及光伏电池，具体涉及光伏电池制备技术领域。本发明所述制备方法包括：硅片制绒后，进行正面硼扩散掺杂，氧化处理后，在背面进行开槽，然后进行掺杂硅玻璃蚀刻，抛光处理，制备隧穿氧化层，非晶硅，之后对硅片进行绕镀处理，双面制备钝化膜，最后进行双面电极印刷，烧结得到光伏电池。本发明通过在电池背面增加开槽工序，同时对开槽等工艺的协同改进，提升了丝网印刷浆料与硅片的接触面积，进而提高了填充因子，从而实现电池转换效率的提升。

公开(公告)号：CN112663030B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202011574823.7

申请日：2020-12-28

Applicant: 无锡松煜科技有限公司

Inventor： 陈庆敏 ,  李丙科 ,  孙志宇 ,  张海洋 ,  景程

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种立式光伏电池钝化沉积装置，具有一个竖向设置的主机室，主机室内至少具有一个竖向设置的工艺腔室，工艺腔室顶端通过上法兰密封组与腔室上盖紧密连接，底端与外部的气体处理装置连通，在工艺腔室内配套使用多个石墨盘，每个石墨盘上承载若干个硅片后逐层叠放在工艺腔室内。本发明具有一个竖向设置的主机室，主机室内至少具有一个竖向设置的工艺腔室，通过立式的工艺腔室实现光伏电池钝化工艺。该装置占地面积小，布局更加合理，集约程度高，提高生产效率，降低生产成本。

公开(公告)号：CN118073181B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410471910.1

申请日：2024-04-19

Applicant: 无锡松煜科技有限公司

Inventor： 陈庆敏 ,  张海洋 ,  李丙科

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/324 ,  H01L31/18 ,  C30B31/16 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅片的硼扩散方法及硼扩散炉，该硼扩散方法包括：S1.提供具有纳米柱结构的硅片；S2.将硅片置于硅片舟托上，送入到硼扩散炉；S3.向硼扩散炉的炉膛内通入氮气，升高炉膛内温度至T1，压力调节至P1；S4.向硼扩散炉的炉膛内通入氧气和硼源，进行第一次硼扩散沉积，氧气和硼源的通入方向平行于硅片的待沉积面；S5.向硼扩散炉的炉膛内通入氧气和硼源，进行第二次硼扩散沉积，氧气和硼源的通入方向垂直于硅片的待沉积面，并向着硅片的待沉积面方向多次推动氧气和硼源；S6.硼扩散炉降温，取出硅片，完成硅片的硼扩散。本发明的方法，使得硼扩散更加均匀，从而改善扩散方阻的均匀性。