发明公开
- 专利标题: 一种大功率射频离子源保护系统
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申请号: CN202410891112.4申请日: 2024-07-04
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公开(公告)号: CN118737781A公开(公告)日: 2024-10-01
- 发明人: 蒋才超 , 齐麒 , 崔庆龙 , 刘波 , 潘军军 , 陈世勇 , 刘智民 , 刘胜 , 谢远来
- 申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 申请人地址: 安徽省合肥市庐阳区三十岗乡古城路181号
- 专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市庐阳区三十岗乡古城路181号
- 代理机构: 北京科迪生专利代理有限责任公司
- 代理商 江亚平
- 主分类号: H01J27/02
- IPC分类号: H01J27/02 ; H01J27/04
摘要:
本发明公开了一种大功率射频离子源保护系统,涉及射频离子源技术领域。通过对反应射频离子源等离子体放电状态的的驻波信号和功率反射信号进行处理,并与设定的保护阈值进行比较,从而可判定出在非正常放电下需要发出的保护信号,进而关闭射频功率输出,中止等离子体放电,达到保护离子源和功率源的目的。同时,在等离子体建立的初始时刻,由于阻抗匹配从失配进入匹配的过程中会引起驻波和反射信号的突变,本发明的保护系统设计了一个盲区,用于在该时刻来屏蔽保护信号的发出,从而避免等离子体无法正常激发。本发明不仅提升了射频离子源工作时的安全性,还有效地保障了射频离子源的高效持久运行。