本发明公开了一种SiC MOSFET的串扰抑制电路，属于电力电子技术领域，包括：控制电路、阻抗网络和内部栅源电压提取电路。内部栅源电压提取电路能够得到SiC MOSFET栅源电容两端的电压vgsint，可以正确反映实际串扰波形；串扰抑制的控制电路根据vgsint与参考电压的比较结果来主动触发米勒电容Cgd和共源极电感Ls的串扰抑制方法；串扰抑制的阻抗网络采用电感构建高阻回路及钳位构建低阻回路。相比于现有串扰抑制方法，本发明能够快速有效的抑制米勒电容Cgd和共源极电感Ls作用下的串扰。