发明公开
- 专利标题: 一种高阻尼锆基非晶复合材料及其制备方法
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申请号: CN202410792952.5申请日: 2024-06-19
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公开(公告)号: CN118773523A公开(公告)日: 2024-10-15
- 发明人: 王英敏 , 羌建兵 , 王慧超 , 王晓刚 , 王子鑫 , 黄山 , 米少波 , 房灿峰
- 申请人: 大连理工大学
- 申请人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 代理机构: 辽宁鸿文知识产权代理有限公司
- 代理商 李宝元
- 主分类号: C22C45/10
- IPC分类号: C22C45/10 ; C22C1/11 ; B22D18/00
摘要:
一种高阻尼锆基非晶复合材料及其制备方法,属于功能材料研发与制备领域,一种含有体心立方结构第二相的Snoek型高阻尼锆基非晶复合材料,其原子百分比成分通式为(Zr63.5‑aMaAl9Cu23Fe4.5)100‑bXb,M=Nb、Ti或Hf,X=O、C或B,其中0.5≤a≤4.5,0.1≤b≤0.5。制备过程中,以工业纯Zr、M、Fe、Al、Cu、N为原料,利用真空电弧熔炼技术熔制合金铸锭,通过铜模铸造技术获取所需合金材料,其阻尼性能Q‑1值为0.011~0.015。本发明的非晶基复合材料保持本身的性能优势的同时,具备高阻尼性能,拓展了非晶材料的应用领域与范围;材料具有更加优异室温塑性变形能力和断裂强度;材料中Snoek弛豫峰值温度低于非晶基体的玻璃化转变温度,材料在最佳阻尼温度下使用,合金具有优良的组织稳定性,不易发生玻璃化转变或晶化失稳。