本申请提供一种晶体炉和晶体生长控制方法，包括：炉体内沿其高度方向开设有中空腔体，其内设有用于容纳熔体的坩埚；坩埚的外壁上具有至少一个环绕坩埚的加热区；籽晶杆包括用于放置籽晶的晶体生长平台，晶体生长平台可沿炉体的高度方向移动；至少一个加热组件，设于中空腔体内，套设于坩埚的对应的加热区外，加热组件包括若干个周向呈阵列分布的加热元件，每个加热元件在加热区上的投影区域为周向加热分区，所有周向加热分区全覆盖加热区；处于同一个加热区内的每个加热元件向对应的周向加热分区提供的加热温度相同或不同。该方案在径向方向上的任意圆周角度的区域实现独立地加热温度控制，满足独特的应用场景，降低生产成本、提高生产效率。