本发明涉及电子科学技术领域，本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，所述忆阻器包括衬底、间隔设置于所述衬底上的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和第二电极之间的介质层；其中，所述介质层的材料为亲水性、金属离子还原性的材料。本发明通过采用具有金属离子还原性的材料作为忆阻器的介质层材料，能够显著降低忆阻器的操作电压；并且，本发明采用的介质层材料还具有亲水性，在高湿度条件下，亲水性介质层材料能够吸附水分，使忆阻器的操作电压进一步降低。