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公开(公告)号：CN118785726A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411108514.9
申请日：2024-08-13
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明涉及电子科学技术领域，本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，所述忆阻器包括衬底、间隔设置于所述衬底上的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和第二电极之间的介质层；其中，所述介质层的材料为亲水性、金属离子还原性的材料。本发明通过采用具有金属离子还原性的材料作为忆阻器的介质层材料，能够显著降低忆阻器的操作电压；并且，本发明采用的介质层材料还具有亲水性，在高湿度条件下，亲水性介质层材料能够吸附水分，使忆阻器的操作电压进一步降低。
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公开(公告)号：CN118676213A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410403206.2
申请日：2024-04-03
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L29/786 , G06N3/063
摘要： 本发明公开了一种基于二维铁电场效应晶体管可重构神经形态器件，包括：依次设置的栅极层、栅介质层、二维α‑In2Se3铁电半导体沟道层以及源漏电极层；二维α‑In2Se3铁电半导体沟道层的厚度为10～30nm，沟道长度小于2μm。利用二维α‑In2Se3铁电材料面内面外铁电极化耦合效应，通过面外极化效应，利用栅极调控作用实现非易失性突触功能的模拟；利用面内面外极化耦合效应，通过栅压控制面外极化方向向上，基于两端横向忆阻器，通过漏极改变α‑In2Se3铁电面内极化强度，最终影响面外极化方向，实现具有易失特性的神经元功能。最终实现可重构的神经形态器件的开发，可重构的神经形态器件的集成度高且能耗低。
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公开(公告)号：CN117545278A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311506538.5
申请日：2023-11-13
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明提供一种无浮栅层闪存，包括：控制栅极、设置于所述控制栅极上的栅极氧化物、设置于所述栅极氧化物上的半导体层和设置于所述半导体层上的源漏电极。其中，所述半导体层包含纳米材料；所述纳米材料包括用于捕获电荷的内核和包裹在所述内核表面的绝缘外壳。本发明利用纳米材料中用于捕获电荷的内核和包裹在所述内核表面的绝缘外壳分别替代传统闪存中的浮栅层和隧穿层，而纳米材料包含在半导体层中，将传统闪存中的半导体层和浮栅层及隧穿层融合为一层，可大大简化器件的制备工艺，缩写器件尺寸。
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公开(公告)号：CN107369687B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710527432.1
申请日：2017-06-30
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L27/11517 , H01L29/22 , H01L29/423 , H01L29/788
摘要： 本发明公开了近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法，从上至下依次包括：源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层、栅极和基底；其中，所述半导体层由ZnO制成，所述浮栅层由上转换荧光纳米颗粒制成。本发明利用上转换荧光纳米颗粒在近红外光作用下发出紫外光，ZnO半导体吸收紫外光产生载流子，在电场作用下，产生的载流子被捕获在浮栅层中。在这个过程中，近红外光间接增加了可被捕获的载流子数目，有效增强了存储器存储窗口并且实现了多比特存储。同时，本发明利用价格低廉的ZnO作为存储器半导体层，显著降低了存储器价格。相比传统晶体管型存储器，本发明所述的存储器不仅性能可以明显提高，成本也显著降低。
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公开(公告)号：CN118613063A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410505930.6
申请日：2024-04-25
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H10K10/88 , H10K85/50 , H10K10/46 , G01N27/414
摘要： 本发明公开了一种基于有机无机杂化钙钛矿晶体管型感算一体器件，包括：依次设置的栅极层、栅介质层、异质结沟道层以及源漏电极层；所述异质结沟道层包括：相互连接的有机无机杂化钙钛矿层和富勒烯衍生物层；其中，所述有机无机杂化钙钛矿层与所述栅介质层连接，所述富勒烯衍生物层与所述源漏电极层连接；所述富勒烯衍生物层用于钝化所述有机无机杂化钙钛矿层。由于富勒烯衍生物层的钝化作用不仅可以有效减缓有机无机杂化钙钛矿层变质速度，提高器件稳定性；而且可以通过电荷相互转移，有效减缓被探测气体去除后器件的恢复时间，从而使器件在实现气体传感的基础上具有计算的功能。
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公开(公告)号：CN118510381A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410962147.2
申请日：2024-07-18
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明涉及电子科学技术领域，本发明公开了一种湿度敏感的忆阻器及其制备方法与应用，所述湿度敏感的忆阻器包括衬底、间隔设置于所述衬底上的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和第二电极之间的介质层；其中，所述介质层的材料为湿度敏感的材料。本发明采用湿度敏感的材料作为忆阻器的介质层，能够完成对湿度信号的感知和预处理。具体来讲，本发明提供的湿度敏感的忆阻器可将输入的湿度信号实时转化为神经元脉冲放电行为，高并行地解决信号感知和预处理，有利于提高湿度传感系统的能效和速度；并且，结合忆阻器的两端结构，有利于提高湿度传感系统的集成密度。
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公开(公告)号：CN117677281A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311523071.5
申请日：2023-11-14
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明提供一种忆阻行为可调控的忆阻器，包括：衬底、活性电极、惰性电极以及设置在所述活性电极和所述惰性电极中间的介质层，其中，所述介质层的材料为相变材料。本发明采用相变材料制备介质层，构筑了相变前后忆阻行为截然不同的忆阻器，实现了从无忆阻行为到渐变型忆阻行为的转变，显著提高了忆阻器的编程灵活性。
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公开(公告)号：CN118765153A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410860734.0
申请日：2024-06-28
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H10N30/853 , H10N30/87 , H10N30/067 , H10N30/097 , H10N30/057 , H10N30/50 , H10N30/30 , A61F2/10 , G01D21/02
摘要： 本发明公开了一种同时感知光热力的电子皮肤及其制备方法，同时感知光热力的电子皮肤包括：依次设置的衬底、底电极、稀土元素掺杂的压电材料层以及顶电极；所述稀土元素掺杂的压电材料层包括：基层和设置于所述基层的若干个金字塔结构，所述金字塔结构位于所述底电极和所述基层之间；所述稀土元素掺杂的压电材料层的稀土元素掺杂的压电材料选自镨铒掺杂的ZnO或镨铒掺杂的NaNbO3。镨铒掺杂的ZnO或镨铒掺杂的NaNbO3可以同时具有感知光、热以及力的功能，形成更加真实的电子皮肤。
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公开(公告)号：CN118290991A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410300088.2
申请日：2024-03-15
申请人： 深圳大学
IPC分类号： C09D125/06 , H10N70/20 , H10N70/00 , C09D7/62 , C09D133/12
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种基于多金属氧酸盐的复合薄膜及其制备方法、光电忆阻器，基于多金属氧酸盐的复合薄膜按质量百分比计，包括94.4wt％‑96.4wt％高分子聚合物、2.1wt％‑3.1wt％多金属氧酸盐、1.5wt％‑2.5wt％表面活性剂；表面活性剂对多金属氧酸进行包埋，得到表面活性剂封装的多金属氧酸盐；经表面活性剂包埋的多金属氧酸盐分散于高分子聚合物中。本发明将多金属氧酸盐引入复合薄膜中，多金属氧酸盐对电子捕获作用发挥了复合薄膜在忆阻器中的开关特性，同时多金属氧酸盐的还原产物——杂多蓝对光的响应可以让设有复合薄膜的忆阻器接收光信息并实现电学响应，简化了传统光电信息处理转化需要额外传感器将光信息转化为点信息的步骤。
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公开(公告)号：CN113193112A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110347035.2
申请日：2021-03-31
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明公开一种平面型的阻变存储器及其制备方法。所述平面型的阻变存储器包括：衬底、位于所述衬底两端的第一电极和第二电极、及位于所述第一电极和第二电极之间的介质层，所述介质层为一维纳米材料或一维微米材料。本发明利用低维度的纳米材料或微米材料，且纳米材料或微米材料本身的晶型也有利于构筑易于离子迁移的介质层，从而可以构筑低维度的、易于离子迁移的通路，实现导电细丝的限域生长，进而提高器件的一致性。另外，本发明器件制备工艺简单，制备成本低。
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