本发明公开了一种用于检测硫化氢气体的气敏传感器及其制备方法。用于检测硫化氢气体的气敏传感器，包括：硅衬底、电极片以及覆盖在所述电极片表面的敏感层，所述敏感层为SnO/SnO2异质结敏感层。所述SnO/SnO2异质结敏感层包括SnO薄膜层和覆盖在所述SnO薄膜层表面用于与硫化氢气体接触的SnO2薄膜层。本发明的气敏传感器采用了SnO/SnO2异质结作为敏感层，这种独特的结构设计不仅提高了传感器对H2S气体的灵敏度，而且拓宽了其检测范围。SnO/SnO2异质结的形成，通过精确控制制备过程中的化学组成和微观结构，实现了对H2S气体的高效吸附和快速反应。现有的气敏传感器往往需要在较高温度下工作以获得较好的灵敏度，而本发明的传感器能够在室温条件下快速响应低至1PPM的H2S气体。