发明公开
CN118825151A 发光二极管及其制备方法
审中-实审
- 专利标题: 发光二极管及其制备方法
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申请号: CN202410807789.5申请日: 2024-06-21
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公开(公告)号: CN118825151A公开(公告)日: 2024-10-22
- 发明人: 兰叶 , 王江波 , 朱广敏 , 吴志浩 , 张威
- 申请人: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
- 专利权人: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
- 当前专利权人: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
- 代理机构: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 徐立
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00 ; H01L21/67
摘要:
本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法,属于半导体技术领域。该制备方法包括:获取初始外延片在目标温度下的目标翘曲度,初始外延片包括衬底和初始外延层;根据目标翘曲度,确定目标托盘,目标托盘包括用于放置初始外延片的凹槽,凹槽的底面为圆弧形凸起面,且圆弧形凸起面的翘曲度等于目标翘曲度;将初始外延片放置在目标托盘的凹槽内,并在目标温度下在初始外延层上形成剩余外延层,以在衬底上形成外延层,衬底和圆弧形凸起面接触。本公开实施例能提高LED的发光波长的均匀性。
IPC分类: