导磁性能优良的无取向硅钢及其制造方法
摘要:
本发明公开了一种导磁性能优良的无取向硅钢及其制造方法,所述无取向硅钢按重量百分数计包括以下化学成分:C≤0.0025%,Si 0.5~1.5%,Mn 0.10~0.30%,Als 0.5~1.0%,S≤0.0040%,N≤0.0015%,Ti≤0.0020%,其余为Fe及不可避免的杂质。本发明通过合理的成分、工艺、织构控制,获得一种Si含量在0.5~1.5%、Als含量在0.5~1.0%之间的导磁性能优良的高效无取向硅钢,消除应力退火后成品铁损P1.5/50≤3.0W/kg,磁导率μ1.0/50≥10000Gs/Oe,μ1.5/50≥4000Gs/Oe,μ1.0/50+μ1.5/50≥15000Gs/Oe。
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