发明公开
- 专利标题： 一种薄膜晶体管及其制备方法、基板、显示装置
-
申请号： CN202310464596.X申请日： 2023-04-26
-
公开(公告)号： CN118866976A公开(公告)日： 2024-10-29
- 发明人: 刘艳 , 王小元 , 郭晖 , 吴忠山 , 杨国栋 , 蒲巡 , 郭建东 , 朱嫄媛
- 申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
- 申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,重庆京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,重庆京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 代理机构： 北京市铸成律师事务所
- 代理商 王云红; 包莉莉
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L27/12 ; G02F1/1362 ; G02F1/1368
摘要：
本公开实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、基板、显示装置。薄膜晶体管包括依次层叠设置在衬底一侧的栅电极、栅绝缘层、有源层以及源漏电极层，源漏电极层包括沿第一方向间隔设置的第一极和第二极，栅电极在衬底上的正投影和第一极在衬底上的正投影相交的部分为第一交叠部分，第一交叠部分在衬底上的正投影位于有源层在衬底上的正投影内。本公开技术方案可以有效降低DGS发生率，提升产品的良率，保证产品品质的稳定性。
IPC分类:
