本发明涉及一种大功率半导体激光器的制备方法，属于半导体金属电极技术领域，和传统工艺相比，本发明无需使用刻蚀液刻蚀种子层和金导电层，只需一次湿法剥离薄层种子层，无需二次剥离金导电层，避免了剥离产生的金导电层粗糙度大，形貌不规则等问题，有利于提高金导电层的良率及半导体激光器的性能。另外，此方法只需湿法去除负性光刻胶，减少了金导电层上胶的残留，无需二次剥离金导电层的过程。因此，在电镀金导电层时，只需电镀种子层上镀金，无需电镀解理区上部的金，从而减少了金的使用量，能够有效减少生产成本。