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公开(公告)号：CN118867833A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310456393.6
申请日：2023-04-26
申请人： 山东华光光电子股份有限公司 , 山东芯光光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/042
摘要： 本发明涉及一种大功率半导体激光器的制备方法，属于半导体金属电极技术领域，和传统工艺相比，本发明无需使用刻蚀液刻蚀种子层和金导电层，只需一次湿法剥离薄层种子层，无需二次剥离金导电层，避免了剥离产生的金导电层粗糙度大，形貌不规则等问题，有利于提高金导电层的良率及半导体激光器的性能。另外，此方法只需湿法去除负性光刻胶，减少了金导电层上胶的残留，无需二次剥离金导电层的过程。因此，在电镀金导电层时，只需电镀种子层上镀金，无需电镀解理区上部的金，从而减少了金的使用量，能够有效减少生产成本。
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公开(公告)号：CN116604494A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310634429.5
申请日：2023-05-31
申请人： 山东华光光电子股份有限公司 , 山东芯光光电科技有限公司
IPC分类号： B25B11/00
摘要： 本发明涉及一种提高半导体激光器巴条夹持数量的弹性镀膜夹具及应用，属于半导体激光器领域，包括底座、防护盖和弹簧夹板，底座两侧设有燕尾台；弹簧夹板成对设置，弹簧夹板两侧均设置有燕尾槽；一对弹簧夹板中，弹簧夹板A和弹簧夹板B之间用于夹持巴条和陪条；弹簧夹板A固定，弹簧夹板B为滑动连接，弹簧夹板B与下一对弹簧夹板的弹簧夹板A之间通过弹簧连接，通过弹簧提供弹性力。本发明减少夹板了面积，最大利用镀膜空间，单位空间能稳定弹性夹持更多巴条，提高每炉产出率，节省镀膜设备准备时间，且弹性夹持解决高低温环境下刚性件应力变形导致的巴条损伤、镀膜不均甚至掉落的风险，提高镀膜产出率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN116565691A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310633870.1
申请日：2023-05-31
申请人： 山东华光光电子股份有限公司 , 山东芯光光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种高慢轴光束质量的宽条型大功率半导体激光器及其制备方法。所述半导体激光器的P型限制层呈脊型台状，宽条型脊条设置在P型限制层本体层上方；宽条型脊条上表面设置有欧姆接触层，欧姆接触层上表面设置有深入至P型限制层内的柱状孔；欧姆接触层上方设置有P面金属层，欧姆接触层侧表面、宽条型脊条侧表面和P型限制层本体层上表面设置有绝缘层。本发明通过在宽条型脊条边缘处制备空气柱结构，降低宽条型脊条边缘处的散热能力，降低宽条型脊条边缘处的散热效率，消除热分布不均匀问题，消除热透镜效应，降低芯片在大功率工作模式下的慢轴发散角，有效提高宽条型半导体激光器的光束质量。
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公开(公告)号：CN117913649A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211265781.8
申请日：2022-10-17
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种复合脊波导大功率半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域，包括从下到上依次连接在一起的衬底、N限制层、N波导层、量子肼有源层、P波导层、P限制层，P限制层的表面设置有两个肩部，两个肩部之间设置有脊波导，肩部与脊波导之间设置复合层，复合层与脊波导材质分别为互异型半导体材料，利用不同半导体类型材料接触形成的能带变化对脊波导内的电流进行限制，通过本发明的复合层结构可以实现抑制电流扩展、降低激光器损耗、限制高阶光波导模式，降低激光器阈值与热阻，提升激光器基模振荡条件下的最大输出功率，实现了单模激光器高功率输出峰值与远场光斑质量的优化，有效地改善了大功率单模激光器的输出光束质量。
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公开(公告)号：CN117277060A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210676587.2
申请日：2022-06-15
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体激光器技术领域，且公开了一种激光打印机用半导体激光器发光芯片，包括N面电极，所述N面电极的顶部连接有衬底层，所述衬底层的顶部连接有缓冲层，所述缓冲层的顶部设有圆弧形脊型条结构，所述圆弧形脊型条结构包括与缓冲层连接的N型限制层、只包裹在圆弧形脊型条结构侧壁两侧的绝缘层和P面电极，所述N型限制层和P面电极之间从下到上依次设有N型波导层、N型势垒层、量子阱层、P型势垒层、P型波导层和P型限制层。该激光打印机用半导体激光器发光芯片，通过在半导体激光器外延层中设置高禁带宽度的势垒层，有效抑制载流子在高温下的泄露问题，其制备方法简单、工艺为目前成熟工艺，易于大批量制备。
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公开(公告)号：CN116395393A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310296599.7
申请日：2023-03-24
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器巴条自动分离胶膜转运的装置及应用，属于半导体激光器技术领域。装置包括三轴联动装置、真空吸嘴、真空吸附装置、巴条传输盒和控制系统，其中，三轴联动装置控制端设置有真空吸嘴，三轴联动装置内设置有真空吸附装置，真空吸嘴和真空吸附装置均连接有真空泵，真空吸附装置一侧设置有多个巴条传输盒，三轴联动装置和真空泵均连接有控制系统。本发明通过真空吸附胶膜背面，依靠底部支撑结构，胶膜呈现凹形，巴条与胶膜从面接触转变成线接触，减少接触面积，便于后续巴条吸取转运，而且通过三轴联动配合真空吸取摆放巴条，提高巴条下传效率，且吸取更加便捷、安全、操作难度低，操作成本和时间成本低，产品产出率高。
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公开(公告)号：CN115912055A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211574392.3
申请日：2022-12-08
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种大功率低发散角半导体激光器芯片，属于半导体激光器领域，层叠结构包括自下到上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、量子阱层、P型波导层、P型限制层、绝缘层以及P面金属；脊波导沿激光器芯片的出光方向延伸，脊波导两头宽中间窄；电流注入区形成于脊波导上，隔离槽区形成于靠近腔面的脊波导以及两侧区域，深沟槽区形成于脊波导两侧，其在出光方向为三角形，靠近腔面处宽度大。本发明可以有效消除了热透镜效应，大大降低慢轴发散角，同时，脊波导采用两头宽的形势，降低了载流子在脊波导边缘的堆积效应，消除近场光斑中边缘区域功率较强的尖峰，避免局部光场过强导致腔面损伤，大大提高了器件的长时间可靠性。
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公开(公告)号：CN114613666A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011426863.7
申请日：2020-12-09
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033
摘要： 本发明涉及一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法，属于半导体光刻技术领域，本发明的基板上设置有凹槽，金属掩膜层位于凹槽的底部及侧壁上，金属掩膜层的高度小于凹槽的深度，制备方法包括：在透明基板上均匀涂覆一层负性光刻胶并进行曝光和显影处理，使用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺在没有光刻胶覆盖区域腐蚀出深度为300～400nm的凹槽，之后在基板上沉积一层金属掩膜层，最后剥离得到与设计图案一致的光刻掩膜版。本发明将金属铬薄膜层沉积在凹槽结构内，通过凹槽对金属铬薄膜层进行保护，避免了金属铬薄膜层突出而导致容易发生硌伤等缺陷而发生漏光。
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公开(公告)号：CN112147848A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910563067.9
申请日：2019-06-26
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/768 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种小尺寸沟槽的制备方法，本技术方案首先在外延片上面旋涂一层厚的正性光刻胶，利用光刻掩膜版采用曝光、显影的方式制备出一定宽度的光刻胶窗口，然后在带有光刻胶的沉底上面直接旋涂一层薄的光刻胶，形成具有沟型弧度光刻胶掩膜层，沟型弧度底部的尺寸小于光刻胶显影图形的宽度，最后通过干法刻蚀将沟槽底部比较薄的光刻胶刻蚀掉，然后直接以光刻胶做掩膜继续进行刻蚀，得到尺寸≤5um的沟槽图形，实现更小尺寸沟槽的制备。本技术方案设计合理，操作简单，不仅有效实现了小尺寸沟槽的制备，避免了多次光刻，直接一次干法刻蚀就可以实现，同时使用成本低，简化了工艺步骤，实用性较好。
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公开(公告)号：CN110768098A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810839272.9
申请日：2018-07-27
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 一种偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法。制备的肩部Ⅰ与肩部Ⅱ不等宽，使脊型结构不在位于芯片的正中间，在较宽的肩部Ⅱ上可以有充裕的空间先设置好金丝焊线位置图形，后其在金丝焊线位置图形上进行金丝打线就有效避免了损伤管芯的情况发生，有效避免金丝打线时造成管芯坏死或者失效的情况发生。同时由于在脊型结构上制备了电流注入窗口，即标记了出光面，便于后续封装。由于在较宽的肩部Ⅱ中制备出沟槽Ⅱ，从而避免了由于肩部Ⅱ相对肩部Ⅰ较宽导致电流注入时候不均匀的情况。由于在激光器芯片表面除去金丝焊线位置图形之外的区域生长一层介质膜Ⅱ，因此可以保护芯片不被损伤。
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