发明公开
- 专利标题: 一种半导体湿法刻蚀清洁装置及清洁方法
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申请号: CN202410932380.6申请日: 2024-07-12
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公开(公告)号: CN118888473A公开(公告)日: 2024-11-01
- 发明人: 刘祥义
- 申请人: 日照照芯半导体科技有限公司
- 申请人地址: 山东省日照市东港区后村镇空港科创中心10楼1019
- 专利权人: 日照照芯半导体科技有限公司
- 当前专利权人: 日照照芯半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省日照市东港区后村镇空港科创中心10楼1019
- 代理机构: 南京润权知识产权代理事务所
- 代理商 陈兴旺
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67 ; H01L21/687 ; B08B3/04 ; B08B3/10 ; B08B3/14
摘要:
本申请提供一种半导体湿法刻蚀清洁装置及清洁方法,涉及半导体晶圆加工领域。一种半导体湿法刻蚀清洁装置,包括:存储架,所述存储架的外侧固定连接有支腿架,且支腿架的底部固定连接有固定架,且固定架的一侧固定连接有气缸筒;所述存储架的内腔设置有升降组件,且升降组件的四周均设置有浸液组件;所述固定架的内腔设置有与气缸筒配合使用的供给组件,且供给组件的一侧设置有旋转组件。该半导体湿法刻蚀清洁装置及清洁方法,在对经过湿法刻蚀加工后的晶圆清洁期间,先对晶圆在清洗剂内进行反复下降浸没和升起脱离操作,将附着在晶圆表面的杂质进行反复浸没脱离清洁,同时对晶圆表面的杂质进行动态清洁操作。
IPC分类: