发明公开
- 专利标题: 选择性动态随机存取存储器(DRAM)设备内元数据的存储和存取
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申请号: CN202311806214.3申请日: 2023-12-25
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公开(公告)号: CN118899021A公开(公告)日: 2024-11-05
- 发明人: T·欣克 , K·S·贝恩斯
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 刘瑜
- 优先权: 18/212,057 20230620 US 18/212,057 20230620 US
- 主分类号: G11C29/42
- IPC分类号: G11C29/42 ; G11C11/409
摘要:
描述了用于在选择性动态随机存取存储器(DRAM)设备内存储和存取元数据的技术。在一个示例中,一种双列直插式存储器模块(DIMM)包括多个动态随机存取存储器(DRAM)设备,其中多个DRAM设备中的每个DRAM设备包括管芯上ECC比特。所述多个DRAM设备中的至少一个包括用于提供存取以从所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特读取和向所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特写入的电路模块。所述DIMM包括一个或多个管脚,用于向所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特传输元数据或从所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特传输元数据。