发明公开
CN118899284A 半导体装置
审中-公开
- 专利标题: 半导体装置
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申请号: CN202410328721.9申请日: 2024-03-21
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公开(公告)号: CN118899284A公开(公告)日: 2024-11-05
- 发明人: 全俊镐 , 金德成 , 吴桂植 , 李旻佑 , 林汪龙 , 曹丙坤
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市立方律师事务所
- 代理商 李娜; 吕本顺
- 优先权: 10-2023-0057039 20230502 KR
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L23/528 ; H01L23/52 ; H01L23/522 ; H10B80/00 ; H01L21/768 ; H01L21/82
摘要:
一种半导体装置包括:半导体层,所述半导体层具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;第一布线结构,所述第一布线结构位于所述半导体层的所述第一表面上;第二布线结构,所述第二布线结构位于所述半导体层的所述第二表面上;以及贯穿通路,所述贯穿通路延伸穿过所述半导体层并且电连接到所述第一布线结构和所述第二布线结构,其中,所述半导体层还包括:与所述半导体层的所述第一表面相邻的第一半导体元件层;以及与所述半导体层的所述第二表面相邻的第二半导体元件层。
IPC分类: