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公开(公告)号：CN111090538B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910590044.7
申请日：2019-07-02
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本公开涉及存储器模块及操作包括该存储器模块的存储器系统的方法。该存储器模块包括：第一纠错码存储器和多个第一数据存储器的第一通道；以及第二纠错码存储器和多个第二数据存储器的第二通道。第一数据存储器利用存储器控制器发送多个第一数据集中的对应的第一数据集。第一数据集与突发长度相对应。第二数据存储器利用存储器控制器发送多个第二数据集中的对应的第二数据集。第二数据集与突发长度相对应。第一纠错码存储器存储用于检测存储在多个第一数据存储器中的所有多个第一数据集中的至少一个错误的第一子奇偶校验数据。第二纠错码存储器存储用于检测存储在多个第二数据存储器中的所有多个第二数据集中的至少一个错误的第二子奇偶校验数据。
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公开(公告)号：CN118116434A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202310833589.2
申请日：2023-07-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/4096 , G11C11/408 , G11C11/4091
摘要： 一种半导体存储器件包括：单元阵列，包括多个存储体；命令解码器，配置为对从半导体存储器件的外部输入的读/写命令、读命令和写命令进行解码；地址解码器，接收读地址和写地址；输入接收器，配置为将通过写数据焊盘输入的写数据发送到与写地址相对应的存储体的全局I/O驱动器；以及输出驱动器，配置为将从与读地址相对应的存储体的I/O读出放大器输出的读数据发送到读数据焊盘，其中，写数据经由写数据焊盘以单倍数据速率方法输入，并在不经过解串行化处理的情况下被发送到全局I/O驱动器，并且读数据在不经过串行化处理的情况下从I/O读出放大器被发送到读数据焊盘。在一些实施例中，半导体存储器件通过混合铜接合来电地并物理地耦接到中央处理单元。
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公开(公告)号：CN109767806A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811267790.4
申请日：2018-10-29
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本申请提供了自适应错误检查与校正的半导体存储器装置和存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和错误检查与校正(ECC)电路。所述ECC电路基于与写数据相对应的片内集成ECC电平来执行对存储在所述存储器单元阵列中的写数据的ECC编码，以及执行对与从所述存储器单元阵列读出的写数据相对应的读数据的ECC解码。所述片内集成ECC电平是根据写数据的重要程度，在多个片内集成ECC电平中确定的。
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公开(公告)号：CN111090538A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910590044.7
申请日：2019-07-02
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本公开涉及存储器模块及操作包括该存储器模块的存储器系统的方法。该存储器模块包括：第一纠错码存储器和多个第一数据存储器的第一通道；以及第二纠错码存储器和多个第二数据存储器的第二通道。第一数据存储器利用存储器控制器发送多个第一数据集中的对应的第一数据集。第一数据集与突发长度相对应。第二数据存储器利用存储器控制器发送多个第二数据集中的对应的第二数据集。第二数据集与突发长度相对应。第一纠错码存储器存储用于检测存储在多个第一数据存储器中的所有多个第一数据集中的至少一个错误的第一子奇偶校验数据。第二纠错码存储器存储用于检测存储在多个第二数据存储器中的所有多个第二数据集中的至少一个错误的第二子奇偶校验数据。
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公开(公告)号：CN118804606A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410365277.8
申请日：2024-03-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B80/00 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/52
摘要： 一种根据本公开的示例实施例的半导体封装件包括：封装基板；以及第一存储器裸片至第三存储器裸片，所述第一存储器裸片至所述第三存储器裸片设置在所述封装基板上并且沿与所述封装基板的上表面垂直的第一方向顺序地堆叠，并且所述第一存储器裸片和所述第二存储器裸片在没有凸块的情况下彼此附接，并且所述第二存储器裸片和所述第三存储器裸片通过多个凸块彼此附接。
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公开(公告)号：CN118899284A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410328721.9
申请日：2024-03-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/52 , H01L23/522 , H10B80/00 , H01L21/768 , H01L21/82
摘要： 一种半导体装置包括：半导体层，所述半导体层具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；第一布线结构，所述第一布线结构位于所述半导体层的所述第一表面上；第二布线结构，所述第二布线结构位于所述半导体层的所述第二表面上；以及贯穿通路，所述贯穿通路延伸穿过所述半导体层并且电连接到所述第一布线结构和所述第二布线结构，其中，所述半导体层还包括：与所述半导体层的所述第一表面相邻的第一半导体元件层；以及与所述半导体层的所述第二表面相邻的第二半导体元件层。
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公开(公告)号：CN118363892A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311629530.8
申请日：2023-11-30
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种装置包括通过管芯到管芯(D2D)接口连接到第二管芯的第一管芯。第一管芯包括被配置为向D2D接口提供与第二管芯通信的第一通道的第一互连，该第一互连包括第一逻辑电路，该第一逻辑电路被配置为指示连接到第一通道的小芯片管芯的数量与所连接的小芯片管芯的多个信号引脚之中的所连接的信号引脚之间的相关性。第二管芯包括所述数量的所连接的小芯片管芯，每个所连接的小芯片管芯包括被配置为提供从每个所连接的小芯片管芯到D2D接口的第二通道的第二互连。第二通道被配置为根据所连接的小芯片管芯的所连接的信号引脚的数量来设置。
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公开(公告)号：CN111276174A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201910724655.6
申请日：2019-08-07
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开存储器装置和处理存储器装置的安全数据的方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，包括被配置为存储安全数据的安全区域；以及安全管理电路，被配置为：存储保护密钥，并且响应于接收到对安全区域的数据操作命令，通过将保护密钥与由所述存储器装置接收的输入密码进行比较来限制对安全区域的数据操作。
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