本发明公开了一种A、B位双掺杂中熵化锆酸铅基复相介电陶瓷及其制备方法，本发明所述中熵陶瓷材料的化学式为xPbSnO3‑(1‑x)(Pb0.96La0.01Ba0.01Sm0.01)(Hf1/3Zr1/3Ti1/3)O3(x＝0～0.03)，制备过程为按照设计的化学计量比分别称量SnO2、PbO、BaCO3、La2O3、Sm2O3、HfO2、ZrO2、TiO2，之后进行三维混料机混料、预烧、湿法球磨、干燥、过筛、压片，最后在空气中1235℃下烧结3h得到致密的中熵陶瓷。在常温下，1kHz的频率测试下，该中熵陶瓷介电常数可达到825，介电损耗低于0.05，有望成为新一代介电陶瓷的候选材料。