- 专利标题: 一种使用中长波红外辐射测温系统的超低温快速热处理炉
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申请号: CN202411000960.8申请日: 2024-07-25
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公开(公告)号: CN118936108A公开(公告)日: 2024-11-12
- 发明人: 方笑尘 , 方强
- 申请人: 西安和其光电科技股份有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市西咸新区空港新城临空产业园二期11号楼
- 专利权人: 西安和其光电科技股份有限公司
- 当前专利权人: 西安和其光电科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市西咸新区空港新城临空产业园二期11号楼
- 代理机构: 西安佳士成专利代理事务所合伙企业(普通合伙) 61243专利代理师李丹
- 主分类号: F27D19/00
- IPC分类号: F27D19/00 ; F27D21/00 ; F27D11/00 ; H01L21/67
摘要:
本发明属于半导体技术领域,涉及一种使用中长波红外辐射测温系统的超低温快速热处理炉,包括:加热腔、真空工艺腔,加热腔与真空工艺腔为采用石英保护玻璃相互隔离;加热腔内设有卤素加热灯、温度控制系统;真空工艺腔内待测晶圆的前晶面正对石英保护玻璃位于真空工艺腔一侧的平面;真空工艺腔内设有测温探头正对待测晶圆的背晶面;测温探头电连接温度控制系统;本发明通过选用加热腔保护玻璃不透过的波段作为工作波段,将加热光对于工作波段的辐射干扰在进入工艺腔室前拦截掉,如此则可以解决低温时加热辐射透射对于测量的干扰,使得高温计可以测得更低温度下硅晶圆的信号辐射,扩展了RTP的低温工艺范围,测温下限可以达到50摄氏度或更低。