发明公开
- 专利标题: 金属氧化物纳米层的制备方法、金属氧化物纳米叠层结构及传感器
-
申请号: CN202411028931.2申请日: 2024-07-30
-
公开(公告)号: CN118957550A公开(公告)日: 2024-11-15
- 发明人: 郭登极 , 杨彦东 , 廖健翔 , 刘聪 , 钟伟威 , 肖惠 , 顾鸿玮 , 许佼 , 王序进
- 申请人: 深圳大学
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区南海大道3688号
- 专利权人: 深圳大学
- 当前专利权人: 深圳大学
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区南海大道3688号
- 代理机构: 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理商 王勤
- 主分类号: C23C18/14
- IPC分类号: C23C18/14 ; B82Y15/00 ; B82Y40/00 ; G01N27/00 ; B05D7/24 ; B05D1/00
摘要:
本申请提供了金属氧化物纳米层的制备方法、金属氧化物纳米叠层结构及传感器。金属氧化物纳米层的制备方法包括提供衬底与金属盐基材。将金属盐基材设于衬底的表面,形成设于衬底一侧的金属盐层。采用聚焦离子束对金属盐层进行曝光,使金属盐层转化为金属氧化物纳米层。本申请采用聚焦离子束对金属盐层进行曝光的方式,使金属盐层的离子分解,从而使金属盐层转化为金属氧化物纳米层,该制备方法操作简单、反应条件低、成本低、毒性低、衬底兼容度高。并且,通过控制聚焦离子束,可在指定区域内实现金属氧化物纳米层的制备,即,实现金属氧化物纳米层的图案化,满足多种加工需求。
IPC分类: