Invention Publication
- Patent Title: 一种掺杂多晶硅材料及其制备方法、电池和微波退火炉
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Application No.: CN202411339269.2Application Date: 2024-09-24
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Publication No.: CN119153582APublication Date: 2024-12-17
- Inventor: 陈六 , 廖宝臣
- Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
- Applicant Address: 江苏省无锡市新吴区长江南路27号
- Assignee: 江苏微导纳米科技股份有限公司
- Current Assignee: 江苏微导纳米科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市新吴区长江南路27号
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 赵青朵
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/0288 ; H01L31/0368 ; H01L31/068 ; H01L21/67

Abstract:
本申请提供了一种掺杂多晶硅材料的制备方法,包括:依次在基材表面形成隧穿氧化层和含有掺杂元素的多晶硅层或非晶硅层,对得到的材料进行热处理的同时进行微波处理,得到掺杂多晶硅材料;所述微波处理的功率为50W至1000W。本申请还提供了一种掺杂多晶硅材料、TOPCON电池及其制备方法和微波退火炉。本申请在对含有掺杂元素的多晶硅层或非晶硅层进行热处理的同时在特定功率下进行微波处理,能够将掺杂浓度提升一个数量级,从而大大提升电池的钝化性能,同时降低掺杂POLY层和金属接触产生的电阻。
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IPC分类: