公开(公告)号：CN119517718A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411581453.8

申请日：2024-11-06

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 荒见淳一

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455

Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，公开一种基材处理系统，包括反应腔，在反应腔的腔壁上设置有进气口和出气口，进气口位于待清洁区域的侧方，基材处理系统还包括输气结构和抽气结构。输气结构，包括可切换输气的第一输气端和第二输气端；其中，第一输气端用于与反应腔的进气口连通；抽气结构，用于与反应腔的出气口连通，输气结构的第二输气端与抽气结构连通；其中，通过输气结构的第一输气端和第二输气端之间的切换，以使第一输气端能与反应腔的进气口连通；或者，第二输气端与抽气结构连通。这样，能有效清除反应腔内残留的残余物，减小对工艺反应的影响，从而有效提高产品的良率。本申请还公开一种半导体镀膜设备。

公开(公告)号：CN115555129B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202211150361.5

申请日：2022-09-21

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 张鹤 ,  廖宝臣 ,  吴兴华

IPC: B03C3/017 ,  C23C16/44 ,  C23C14/56

Abstract: 本申请涉及一种除尘装置及真空镀膜设备，除尘装置包括第一除尘组件；以及第二除尘组件，与第一除尘组件相对且间隔设置，以在两者之间形成气体流通通道；其中，第一除尘组件和第二除尘组件被配置为能够在气体流通通道内同时形成具有重叠区域的温度场和静电场，温度场及静电场均能够提供使粉尘朝第二除尘组件运动的作用力。在粉尘经过除尘装置时，能够在温度场和静电场的双重作用下，将粉尘收集至第二除尘组件上，而不会堵塞整个气体流通通道，确保了真空镀膜设备的有效抽速，提高了镀膜工艺的稳定性和大规模镀膜品质的重复性。

公开(公告)号：CN119392215A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411572047.5

申请日：2024-11-05

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 李翔 ,  姚俊 ,  袁红霞 ,  李鹏 ,  杨蕾

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  G02B1/113

Abstract: 本发明提供了一种低温ALD制备金属氟化物薄膜的方法，将金属前驱体与氧等离子体进行等离子体增强原子层沉积反应，得到金属氟化物薄膜；所述金属前驱体选自六氟乙酰丙酮化物。本发明利用PEALD制备金属氟化物薄膜，不采用腐蚀性极强的含氟气体，提高了薄膜沉积的安全性；且制备工艺过程温度较低、环境友好、薄膜厚度可控，工艺方法易于实现。制备得到的金属氟化物薄膜膜层均匀，表面致密，具有极低的折射率，应用于光学镜头上，能均匀沉积，具有保型性。不仅如此，还可搭配一些高折射率的膜层结构在一些特定的光谱区实现增透或者减反性能。

公开(公告)号：CN119392214A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411572046.0

申请日：2024-11-05

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 李翔 ,  姚俊 ,  袁红霞 ,  糜珂 ,  杨蕾

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明提供了一种氟化钇薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1)将衬底置于原子层沉积装置内，通入同时含钇和含氟的前驱体，反应后在所述衬底表面形成膜层；将所述膜层进行吹扫；S2)在原子层沉积装置内通入氧源，与所述膜层反应，再次吹扫，得到氟化钇薄膜。根据反应物前驱体的不同，本申请还提供了一种氟化钇薄膜的制备方法。本申请还提供了氟化钇薄膜的应用。本申请提供的氟化钇薄膜的制备方法是利用原子层沉积方法将金属有机源与氧源交替地通入到反应腔室中，并通过自限制反应成膜的过程；制备的氟化钇薄膜均匀、致密，且未引入有毒气体，具有较高的安全性。

公开(公告)号：CN119243112A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411433714.1

申请日：2024-10-14

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 陈志嵩 ,  李翔 ,  左敏

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 本申请涉及一种成膜设备。成膜设备包括成膜单元；成膜单元包括成膜室和设于成膜室内的基底支撑机构；成膜室包括主壳体、第一门体和第二门体，主壳体限定出一端具有第一开口、相对另一端具有第二开口的空腔，第一门体连接于主壳体并封闭第一开口，第二门体连接于主壳体并封闭第二开口；第一门体与主壳体可拆卸连接，第一门体能够滑动至与主壳体不接触以打开第一开口；和/或第二门体与主壳体可拆卸连接，第二门体能够滑动至与主壳体不接触以打开第二开口。本申请的成膜设备，成膜室采用可拆卸移门结构，可以操作第一门体和/或第二门体打开成膜室，方便对基底支撑机构和成膜室内部进行清理和维护，维护保养方便快捷，可以提高维护保养效率。

公开(公告)号：CN112030136B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202010904525.3

申请日：2020-09-01

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 李翔 ,  邹嘉宸 ,  王荣 ,  黎微明

IPC: C23C16/442 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种粉末镀膜装置及镀膜腔体，从进气端口充入流化气，可使粉末得到较高的初速度并流化。由于在由进气端口到出气端口的方向上，内腔体的过流断面的面积呈增大的趋势。根据流体方程，进气端口到出气端口的方向上气体流速将呈递减趋势。当流速下降至一定程度后，被扬起的粉末将逐步开始沉降，并在靠近进气端口时再次被扬起。因此，粉末将在有限的高度内形成内循环，从而增加粉末颗粒间的相互作用，减少团聚。同时，由于粉末扬起的高度有限，故能避免粉末触及并吸附于出气端口。而且，形成内循环的粉末增加了对腔壁的冲击，还减少了腔壁上吸附的粉末。因此，镀膜的均匀性得以显著提升。

公开(公告)号：CN119153582A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411339269.2

申请日：2024-09-24

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 陈六 ,  廖宝臣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请提供了一种掺杂多晶硅材料的制备方法，包括：依次在基材表面形成隧穿氧化层和含有掺杂元素的多晶硅层或非晶硅层，对得到的材料进行热处理的同时进行微波处理，得到掺杂多晶硅材料；所述微波处理的功率为50W至1000W。本申请还提供了一种掺杂多晶硅材料、TOPCON电池及其制备方法和微波退火炉。本申请在对含有掺杂元素的多晶硅层或非晶硅层进行热处理的同时在特定功率下进行微波处理，能够将掺杂浓度提升一个数量级，从而大大提升电池的钝化性能，同时降低掺杂POLY层和金属接触产生的电阻。

公开(公告)号：CN112962086B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202110340069.9

申请日：2021-03-30

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 廖宝臣 ,  张密超 ,  左敏 ,  杨柳

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  H01L31/18

Abstract: 一种石墨舟片，设有硅片覆盖区，所述硅片覆盖区设有多个长条形通孔，所述通孔的宽度≤16mm，由此，可使硅片与石墨舟片贴合紧密，同时产生更均匀的电场，可有效解决管式PECVD/PEALD在N型硅片上镀膜均匀性问题且兼顾解决背面绕镀问题，解决了当前管式设备针对N型硅片镀膜，如氧化铝以及隧穿氧化层钝化接触TOPCON电池背面镀氧化硅的质量问题。尤其是目前光伏行业往大硅片的方向发展，更突显了镀膜均匀性和质量的重要性，为高效大硅片电池的发展铺平道路。

公开(公告)号：CN118895490A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202310472459.0

申请日：2023-04-27

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 施述鹏 ,  严大

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 本申请涉及一种处理设备及处理设备的使用方法，其中，处理设备包括壳体、载具和压盖装置，载具设于壳体的内腔；载具包括本体部和上盖，本体部的一侧为敞口结构，上盖盖合于敞口结构，压盖装置设于壳体，并能够按压上盖，使上盖与本体部贴合。上盖并不完全是通过自身重力的盖合于本体部的，结合压盖装置的驱动作用，能够确保上盖和本体部之间的密封性。

公开(公告)号：CN118866789A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411084005.7

申请日：2024-08-07

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 汤宋波 ,  严大 ,  范方宇 ,  白明星 ,  裴梓柏

IPC: H01L21/677 ,  B65G47/90 ,  H01L21/673 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种导片装置及导片系统，导片装置包括缓存齿组件，适当处于第一工位的第二承载单元中部分片材于缓存齿组件中之后，缓存齿组件中的片材和第一工位的第二承载单元中剩余的片材可以形成S个完整的提取单元，机械手通过S次提取可以将第二承载单元中所有片材提取完毕，这样可以适当扩展载片舟和花篮的载片数量，使二者的齿槽数量比不局限于1，不仅可以提升载片舟和花篮的承载量，而且提取单元的片材数量等于一个第一承载单元的承载量，片材在二者之间的转移效率比较高。