本申请涉及一种金刚石半导体器件及其制作方法。金刚石半导体器件包括：器件主体；金电极，金电极设置在器件主体的表面；介质层，介质层设置在器件主体的表面，介质层围绕金电极；黏附金属层，黏附金属层分别连接金电极和介质层，黏附金属层用于引出电极。通过在器件主体的表面设置围绕金电极的介质层，并设置黏附金属层分别连接金电极和介质层，通过黏附金属层和金电极来引出电极，由于介质层与器件主体之间的黏附性较强，且黏附金属层与介质层之间的黏附性较强，因此，黏附金属层可以起到对金电极进行加固的作用，减少在后续进行外部封装互连时，出现金电极脱落的情况。