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公开(公告)号：CN119024123A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411340968.9
申请日：2024-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种元器件失效检测方法及元器件失效检测装置。所述方法包括：获取待测元器件的目标膜层的热阻参考值，所述热阻参考值为对所述待测元器件施加电应力确定的热阻值；所述待测元器件施加所述电应力和温度应力，并获取所述待测元器件的目标膜层的热阻测量值；根据所述热阻测量值和所述热阻参考值确定所述待测元器件的失效检测结果。该方法能够分析半导体器件在热应力下的失效情况。
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公开(公告)号：CN119300447A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411232910.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种金刚石半导体器件及其制作方法。金刚石半导体器件包括：器件主体；金电极，金电极设置在器件主体的表面；介质层，介质层设置在器件主体的表面，介质层围绕金电极；黏附金属层，黏附金属层分别连接金电极和介质层，黏附金属层用于引出电极。通过在器件主体的表面设置围绕金电极的介质层，并设置黏附金属层分别连接金电极和介质层，通过黏附金属层和金电极来引出电极，由于介质层与器件主体之间的黏附性较强，且黏附金属层与介质层之间的黏附性较强，因此，黏附金属层可以起到对金电极进行加固的作用，减少在后续进行外部封装互连时，出现金电极脱落的情况。
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公开(公告)号：CN116106728A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310391513.9
申请日：2023-04-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/311
Abstract: 本申请涉及一种GaAs集成电路的MIM电容器的失效定位方法和装置。所述方法包括：当待测的MIM电容器顶部厚度大于预设值时，去除GaAs集成电路背面的导电金属层；根据MIM电容器在GaAs集成电路上的位置，确定扫描范围；从去除了导电金属层的GaAs集成电路的背面发射激光，对范围内的GaAs集成电路逐点扫描，得到扫描图像；对扫描图像进行识别，确定扫描图像的失效点在第一方向的位置。采用本方法能够准确地定位到GaAs集成电路中MIM电容器的失效点。
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公开(公告)号：CN115330700A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210897252.3
申请日：2022-07-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种失效点的定位方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。采用本方法能够提高芯片内部失效点定位精度。
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公开(公告)号：CN114800107A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210736420.0
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种芯片去层调节装置及制样方法，其特征在于，芯片去层调节装置包括：底座；高度调节件，高度调节件与底座活动连接，高度调节件用于调整芯片样本相对于底座的高度；位置调节件，位置调节件与高度调节件连接，其中，底座具有夹持表面，夹持表面与位置调节件的一端相对，位置调节件与夹持表面之间形成夹持空间，夹持空间用于夹持芯片样品，位置调节件用于调整芯片样本在夹持表面上的夹持位置。通过调节位置调节件到底座的夹持表面的间距，实现对夹持空间大小的调节并调整芯片样本在夹持表面上的夹持位置，保证对芯片样品研磨时能同时研磨到待观察面的多层断面；通过调节高度调节件，实现对芯片样品每次研磨量的控制调节，保证研磨质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113901675B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111495488.6
申请日：2021-12-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 本申请涉及一种电子元器件寿命预测方法、装置、计算机设备和存储介质。包括：确定标准电子元器件的特性参数和第一工况条件；获取预设温度下的标准电子元器件的第一试验寿命；确定标准电子元器件的加速倍数；获取待预测电子元器件的第二工况条件，根据标准电子元器件的加速倍数、第二工况条件、待预测电子元器件的特性参数，确定使待预测电子元器件的加速倍数与标准电子元器件的加速倍数相等时的试验温度；根据第一工况条件和第二工况条件，确定工况差异倍数；根据第一试验寿命和工况差异倍数，确定待预测电子元器件在试验温度下的第二试验寿命。从而能够预测其他工况的电子元器件的寿命，缩短了试验时间，节省了试验成本。
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公开(公告)号：CN119480593A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411563863.X
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01J37/20 , G01N23/02 , G01N23/20025 , H01J37/26
Abstract: 本申请提供一种透射电子显微镜原位样品杆，涉及透射电子显微镜技术领域，将环境模拟与容纳待测样品两种功能结合，以便于在不同环境条件下对待测样品进行微尺度观测。该透射电子显微镜原位样品杆包括：激光发射模块；第一光纤，第一光纤的一端用于与激光发射模块的输出端相连接，第一光纤用于传导激光发射模块发射的光线；载物台，载物台用于与第一光纤的另一端相连接，其中，载物台包括第一区域和第二区域，第一区域位于第一光纤与第二区域之间，第一区域内设置有多个沿第一方向延伸的光传播通道，第二区域用于容纳待测样品，光传播通道的一端与第一光纤相连接，光传播通道用于将第一光纤传输的光线传导至第二区域，第一方向为载物台的延伸方向。
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公开(公告)号：CN118688602A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411174354.8
申请日：2024-08-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件栅氧退化机理的诊断方法，包括：提供半导体器件，测量获取所述半导体器件在初始状态下的第一动态电容数据及经老化试验后的第二动态电容数据；根据所述第一动态电容数据和所述第二动态电容数据进行分析，得到所述半导体器件的动态电容变化趋势；根据所述动态电容变化趋势分析获取所述半导体器件中栅氧化层的电荷变化情况；根据电荷变化情况诊断所述半导体器件中所述栅氧化层的退化机理。本申请实现了半导体器件中栅氧化层中不同区域退化情况的精确诊断，有助于准确分析栅氧化层中的具体退化位置和缺陷类型。
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公开(公告)号：CN116106728B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310391513.9
申请日：2023-04-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/311
Abstract: 本申请涉及一种GaAs集成电路的MIM电容器的失效定位方法和装置。所述方法包括：当待测的MIM电容器顶部厚度大于预设值时，去除GaAs集成电路背面的导电金属层；根据MIM电容器在GaAs集成电路上的位置，确定扫描范围；从去除了导电金属层的GaAs集成电路的背面发射激光，对范围内的GaAs集成电路逐点扫描，得到扫描图像；对扫描图像进行识别，确定扫描图像的失效点在第一方向的位置。采用本方法能够准确地定位到GaAs集成电路中MIM电容器的失效点。
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公开(公告)号：CN114487788A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210344354.2
申请日：2022-04-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种封装器件的失效定位方法。封装器件的失效定位方法包括：获取未失效封装器件的参考信号；所述参考信号包括所述未失效封装器件的时域信号；获取失效封装器件的测量信号；所述测量信号包括所述失效封装器件的时域信号；对比所述参考信号和所述测量信号，获得所述失效封装器件的失效位置。本发明所述的封装器件的失效定位方法，分别获得未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，并通过对比未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，可以快速获得失效封装器件的精确失效位置，极大地节省了研发人员测试失效位置的时间，帮助提升企业研发竞争力，为后续开展先进封装器件失效分析定位工作提供参考。
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